2024年度

中川　大輔

（修論）二次元IV族材料の電子状態と光学特性（優秀発表賞）

住吉　晶

（修論）表面双極子モーメント可視化手法の開発とそのSi表面への応用（優秀発表賞）

大橋 紀行

（卒論）機械学習と第一原理計算を用いた超伝導物質設計

小林　隼人

（卒論）Ⅳ族半導体超薄膜の局所誘電率評価

石田　唯人

（卒論）Csグラファイト層間化合物の構造と電子状態/a>

2023年度

平野　貴也

（修論）絶縁体超薄膜の局所的誘電率評価（優秀発表賞）

Yew Jongwoo

（修論）一酸化炭素還元力を有するBoron-doped Buckybowlの提案

前田 元彌

（卒論）鉄フタロシアニン誘導体の酸素還元活性に及ぼす置換基の影響

森嶋 孝行

（卒論）鉄フタロシアニン誘導体 FeAzPc-xN(x=1-8)の酸素還元触媒性評価（優秀発表賞）

周東 諒

（卒論）異種元素ドープpolysilaneの物性評価

2022年度

高嶋　太一

（修論）窒素ドープグラフェンの酸素還元活性に及ぼす基板の影響（優秀発表賞）

波佐間　太一

（修論）異種元素ドープ2次元炭素材料の熱力学的安定性と電子物性（優秀発表賞）

黎　智聡

（修論）窒素ドープグラフェンナノクラスター上における酸素還元反応に対する溶媒効果

中川　大輔

（卒論）GaN(0001)表面の再構成構造（優秀発表賞）

八代　拓磨

（卒論）コランダム型酸化ガリウムにおける点欠陥の安定性

國重　輝

（卒論）機械学習による吸着エネルギー予測モデルの構築およびモデルの解釈

2021年度

梅島裕太郎

（修論）一酸化炭素還元能を有する新規単原子触媒材料の提案（最優秀発表賞）

孫　栄耀

（修論）Edge-edge interactions of bilayer zigzag SiC nanoribbons

呂　暁曦

（修論）鉄フタロシアニン誘導体ポリマーの酸素還元反応

佐藤　翔太

（卒論）窒素ドープグラフェンナノクラスターにおける酸素分子吸着過程の検証

田原　都子

（卒論）ホウ素ドープグラフェンの熱力学的安定性

住吉　晶

（卒論）表面双極子モーメント可視化手法の開発（最優秀発表賞）

2020年度

須賀隆之

（修論）II-V 族化合物超薄膜の構造安定性（優秀発表賞）

高嶋太一

（卒論）窒素ドープグラフェンの酸素還元反応における積層効果

波佐間太一

（卒論）原子置換による MXene のバンドセンター制御

崔志熏

（卒論）鉄フタロシアニン系分子の酸素還元触媒活性と物理化学的諸性質との相関関係解析

2019年度

松山治薫

（博論）酸素還元活性を有するカーボンアロイ触媒の原子レベル設計

浅野大造

（修論）２層グラフェンナノリボンのエッジ間相互作用（最優秀発表賞、目黒会賞）

千葉紗彩

（修論）鉄フタロシアニン誘導体の電子状態（優秀発表賞）

梅島裕太郎

（卒論）金属フタロシアニンの誘導体が一酸化炭素還元触媒能に及ぼす影響

呂暁曦

（卒論）Stone-Wales欠陥を有する窒素ドープグラフェンの酸素還元反応

2018年度

菊地庸介

（修論）酸素還元触媒へのフラーレンの応用

後藤俊治

（修論）カルコゲン原子によるGaAs表面の不働態化機構（最優秀発表賞、目黒会賞、総代）

清水裕文

（卒論）カルコパイライト結晶の積層欠陥

須賀隆之

（卒論）GaAs(111)B表面構造の分子分圧依存性

鈴木ゆり子

（卒論）窒素ドープグラフェン上の酸化還元反応

2017年度

池田航也（田中研）

（修論）パルスレーザー堆積法を用いたAl添加DLC薄膜の作製および構造評価

中谷一道（田中研）

（修論）水中PLD法で作成したMgIn2O4薄膜の評価

五味駿一

（修論）酸素還元反応における窒素ドープグラフェンナノリボンの触媒性（最優秀発表賞、目黒会賞）

畑木　尚

（修論）InGaN混晶の構造と電子状態

Rifan Agustian

（修論）グラフェン層間に拘束された水分子クラスターの動的構造評価（最優秀発表賞、目黒会賞）

浅野大造

（卒論）２層グラフェンナノリボンの構造安定性

川島萌枝未

（卒論）ファンデルワールス磁性結晶の層内および層間の磁気的相互作用（最優秀発表賞、目黒会賞）

千葉紗彩

（卒論）窒素ドープグラフェンの構造安定性に及ぼす局所的窒素配列の影響

宮本　惇

（卒論）LiMO2(M=Mn,Co,Ni)の熱力学的安定性および磁気的特性の第一原理計算による評価（優秀発表賞、目黒会賞）

2016年度

後迫真人

（修論）グラフェンナノフレークの構造安定性：芳香族性が果たす役割

岸本秀輝

（修論）二軸性歪み下におけるGaSbの電気伝導率の面方位依存性（優秀発表賞）

松山治薫

（修論）窒素ドープグラフェンナノクラスター上における酸素還元反応の窒素原子位置依存性（優秀発表賞）

菊地庸介

（卒論）窒素ドープカイラルエッジクラフェンナノリボンの構造安定性（優秀発表賞）

後藤俊治

（卒論）Se吸着GaAs{111}表面の構造安定性（優秀発表賞）

玉村優佳

（卒論）曲率を有するグラフェン表面における水ナノクラスターの吸着特性（優秀発表賞）

石川博基

（卒論）官能基修飾グラフェンナノリボンの電子・スピン状態

2015年度

内田 優希

（修論）グラフェンのエッジ近傍不純物の特異な安定化機構（優秀発表賞）

畑山 拓也

（修論）GaSb(111)薄膜の電気伝導率の歪み依存性（優秀発表賞）

船附 顕汰

（修論）Mn吸着GaAs(001)表面の電子・スピン状態

五味 駿一

（卒論）窒素ドープグラフェンナノリボンの酸化還元反応における触媒性（最優秀発表賞、目黒会賞）

畑木 尚

（卒論）Mn吸着GaAs(110)表面の電子状態と構造安定性評価

Rifan Agustian

（卒論）古典分子動力学計算による低次元水構造の評価

田中 崇太郎

（卒論）グラフェンナノクラスターの酸素還元反応における触媒性（優秀発表賞）

2014年度

綾子 陽介

（修論）グラフェン／h-BN複合ナノリボンの熱電変換特性

市川 諒英

（修論）窒素ドープグラフェンの酸素還元反応（最優秀発表賞、目黒会賞）

後迫 真人

（卒論）グラフェンクラスターの電子状態

岸本 秀輝

（卒論）GaSbの有効質量の歪み依存性：第一原理計算による評価

松山 治薫

（卒論）酸素還元反応における窒素ドープグラフェンの触媒性のドーパント濃度依存性（最優秀発表賞、目黒会賞）

小林 俊介

（卒論）Mn吸着GaAs(001)-(3x2)表面のSTMシミュレーション

2013年度

榊原 寛史

（博論）銅酸化物高温超伝導体における結晶構造と転移温度の相関メカニズム

梅木 暁図

（修論）異種元素ドーピンググラフェンの構造安定性と電子状態

米丸 朋宏

（修論）Graphene/H2O系のナノスケール界面特性

内田 優希

（卒論）グラフェンのエッジ近傍不純物の電子状態評価

畑山 拓也

（卒論）Er2O3の電子状態評価（最優秀発表賞：目黒会賞）

船附 顕汰

（卒論）Mn吸着GaAs(001)表面のSTMシミュレーション

2012年度

奥北 和哉

（修論）遷移金属吸着GaAs(001)表面の電子状態と構造安定性評価

横溝 友志

（修論）Graphene/BN超格子の熱電変換特性

瀬戸山 優

（卒論）グラフェン誘導体の水素貯蔵材料への応用（最優秀発表賞：目黒会賞）

市川 諒英

（卒論）窒素ドープグラフェン上の酸素分子吸着

綾子 陽介

（卒論）少数積層グラフェンのゼーベック係数

床次 秀平

（卒論）酸化チタンナノシートの構造安定性と電子状態評価

丹澤 広彬

（卒論）Ga酸化物の電子状態評価

2011年度

相野谷 直樹

（修論）分子動力学法を用いた機能性ナノ空間の探索と制御

加藤 豪

（修論）結晶多形超格子の物性評価

赤崎 充洋

（修論）化合物半導体の原子レベル誘電特性評価

菅野 雄介

（修論）Mn吸着GaAs(001)表面の原子配列および電子・スピン状態

冨田 洋樹

（修論）グラフェンナノリボンのバリスティック熱伝導特性

安村 俊輔

（卒論）Mn吸着GaAs(001)表面の構造安定性評価

梅木 暁図

（卒論）グラフェン誘導体のバリスティック熱伝導特性

米丸 朋宏

（卒論）水分子吸着グラフェンの原子レベル分極特性

清水 大樹

（卒論）グラフェン上の水分子膜の濡れ性評価

森島 航

（卒論）オルトフェニレンの螺旋構造反転メカニズムの解明

2010年度

大杉 拓也

（修論）IV族系混晶半導体界面の物性評価

田村 雅大

（修論）Ge酸化物絶縁膜の物質設計：局所誘電特性評価を中心として

藤井 雄人

（修論）グラフェン誘導体の構造安定性と電子状態

坂根 広敏

（卒論）フラーレンビリヤードゲームソフトウェアの開発

奥北 和哉

（卒論）Er2SiO5結晶の構造安定性評価

原 賢

（卒論）GaAs(001)-c(4x4)表面上におけるCr初期吸着構造の評価

落合 雄紀

（卒論）最大局在Wannier関数を用いた第一原理分極計算

Nguyen Tuan Hung

（卒論）HfxTi1-xO2結晶の物質設計

横溝 友志

（卒論）新奇炭素系２次元物質の光学特性計算

2009年度

平山 基

（博論）半導体表面近傍不純物の原子配置と電子・スピン状態

涌井 貞一

（博論）ナノスケール誘電特性評価手法の開発とその半導体／酸化物薄膜界面系への応用

植田 啓史

（修論）Er2SiO5の結晶構造と電子状態評価

佐藤 耕平

（修論）有限電界下での第一原理的光学計算プログラムの開発とSiGe結晶への応用

千葉 朋

（修論）SiバルクおよびSi/SiO2量子井戸内D-基底状態：量子モンテカルロ法によるvalley-orbit相互作用効果の解析

挾間 裕一

（修論）カーボンナノチューブ分散媒質の異方的交流電気伝導特性：離散化格子モデルによる解析（最優秀発表賞）

谷内 良亮

（修論）Si(001)表面上La2O3超薄膜の局所誘電率とバンドオフセットの第一原理的評価

相野谷 直樹

（卒論）カーボンナノチューブ分散媒質の幾何学的パーコレーション特性（最優秀発表賞）

加藤 豪

（卒論）窒化ホウ素の結晶多形超格子の電子状態

倉島 亜耶乃

（卒論）IV族系２次元化合物の構造安定性と電子特性

赤崎 充洋

（卒論）Si薄膜中置換型Ge不純物近傍の局所誘電率評価

菅野 雄介

（卒論）InAs(110)表面の再構成構造

冨田 洋樹

（卒論）グラフェンのバリスティック熱伝導特性評価〜非経験的及び経験的ポテンシャルによる比較〜

石井 ほのほ

（卒論）ノルム保存型擬ポテンシャル作成のチュートリアル

小山 祐生

（卒論）修飾グラフェンの構造安定性

桒原 慎一

（卒論）セルオートマトンによる自動車の渋滞問題シミュレーション（目黒会賞）

小山 祐生

（卒論）修飾グラフェンの構造安定性

Lim Li Jia

（卒論）遺伝的アルゴリズムを用いた２次元合金相の研究

深沢 亮

（卒論）シミュレーテッドアニーリング法によるカーボンナノクラスターの構造最適化

藤井 孝典

（卒論）フラーレンシュートゲームの作成

横山 晃孝

（卒論）量子トンネル脱出ゲームの作成

2008年度

江口 俊輔

（修論）酸化グラフェンを構成要素とする凝集体の構造安定性と物性の評価

大杉 拓也

（卒論）SiC基板上の酸化物超薄膜の電子状態評価

有村 成晃

（卒論）OH基修飾カーボン２次元物質の構造と電子状態

田村 雅大

（卒論）Ge酸化物超薄膜のナノスケール誘電特性

高橋 透仁

（卒論）スピン軌道相互作用を考慮した第一原理バンド計算の試み

飯塚 裕之

（卒論）ナノスケールの摩擦：動的超潤滑の発生

藤井 雄人

（卒論）異方的導体-絶縁体２次元ネットワークの交流電気伝導特性

片岡 悟志

（卒論）道路網の渋滞シミュレーション

渡辺 英二

（卒論）グラフェンナノリボンのバリスティック熱伝導特性

深澤 秀行

（卒論）量子トンネル脱出ゲームの作成

2007年度

五十嵐 正典

（修論）ナノスケールの摩擦機構：マルチティップ効果

井上 純一

（修論）多谷半導体中のD-基底状態（学年総代）

桝 日向

（修論）球形Si量子ドットの多電子基底状態とその制御（学年副総代）

高野 敦史

（卒論）原子スケールの摩擦：共鳴減少機構の解明

辻本 拓

（卒論）フラーレンビリヤードゲームの開発

千葉 朋

（卒論）Si(111)-(7x7)表面上の銀クラスター形成過程の計算機シミュレーション

挾間 裕一

（卒論）異方的な超微粒子分散媒質の高周波電気伝導特性（最優秀発表賞、目黒会賞）

明神 修平

（卒論）第一原理計算によるナノスケールグラフェンのフォノン分散関係評価

山口 翔

（卒論）グラフェンリボンの電子媒介バリスティック熱伝導特性：タイトバインディング計算

岩崎 雄一

（卒論）SiC結晶多形の誘電率：積層構造依存性

佐藤 耕平

（卒論）第一原理擬ポテンシャル法によるEr化合物の電子状態評価

神野 晃

（卒論）酸素ドープグラフェンの構造双安定性

尾越 勇太

（卒論）酸素吸着(3,3)カーボンナノチューブの第一原理電子状態評価

加々美 和義

（卒論）GaAs(110)表面上のMn原子細線の電子状態と磁性

吉田 和也

（卒論）球形井戸型Si量子ドットの多電子基底状態

2006年度

伊藤 潤

（修論）酸素ドープグラフェンの原子配列の双安定性と電子状態の第一原理計算

平山 基

（修論）不純物ドープSi(111)表面のSTM像の第一原理計算

涌井 貞一

（修論）SiO2/Si(001)界面のナノスケール誘電特性

板持 渓

（卒論）グラフェンシート上のカーボンナノチューブの動力学

小山 勇太

（卒論）金属微粒子分散媒質の高周波複素アドミッタンス：異方性効果

斎藤 浩一

（卒論）グラフェンシートのバリスティック熱伝導特性

佐藤 佳史

（卒論）Si量子ドットの多電子状態

清水 洋保

（卒論）BNシートの不純物状態

谷内 良亮

（卒論）Si/La系酸化物界面の電子状態計算

鈴木 洋暁

（卒論）Ni挿入カーボンナノチューブの磁性

横山 賢二

（卒論）二次元BN/C超格子構造の電子物性と磁性

高木 伸雄

（卒論）量子ダイナミクスを用いたルーレットゲームの作成

2005年度

五十嵐 正典

（卒論）ナノスケール摩擦機構: FFMカンチレバーへのエネルギー散逸効果

井上 純一

（卒論）Si、Ge中のD及びD-電子状態の拡散量子モンテカルロ計算

江口 俊輔

（卒論）Si(001)面上 Laシリサイドの原子配列と電子状態

TAN BENNY

（卒論）超微粒子分散媒質の高周波電気伝導特性

MURTANTO

: 転送行列法による研究

斉藤 聖人

（卒論）「量子ルーレット」ゲームソフトの作成

2004年度

新田 敏浩

（修論）BNCリボンの電子物性

伊藤 潤

（卒論）カーボンナノフィルムの原子構造と電子状態（優秀発表賞）

桝 日向

（卒論）縦型２重量子ドットのスピン結合

涌波 信弥

（卒論）原子スケールの摩擦機構

伊藤 貴之

（卒論）マイクロ４端子法による表面電気伝導異方性の評価

長倉 将太郎

（卒論）金属微粒子分散媒質の複素アドミタンス

平山 基

（卒論）２次元シリコン化合物の原子構造と電子状態（最優秀発表賞）

涌井 貞一

（卒論）SiO2超薄膜の誘電特性（優秀発表賞）

2003年度

石原 俊介

（修論）Si超薄膜の誘電特性

山田 太一

（修論）2重量子ドットのスピン結合

後藤 富久

（卒論）表面電気伝導のマイクロ直線４端子シミュレーション

名取 諭史

（卒論）金属微粒子分散媒質の高周波電気伝導特性

松田 和之

（卒論）中・高等学校における「よさを求める授業」の研究

小澤 日出樹

（卒論）SiC超薄膜の誘電特性

大野 景太

（卒論）（最優秀発表賞、目黒会賞）

2002年度

瀬下 裕也

（修論）２重量子ドットのスピン結合制御

渡會 雅敏

（修論）Si/SiO2のバンドオフセットの第一原理計算

新田 敏浩

（卒論）へテロエピタキシャルの摩擦機構

大塚 雅之

（卒論）表面近傍におけるホールの有効質量

岸田 正吉

（卒論）BNCリボンの電子状態制御

小林 亨

（卒論）マイクロ4端子法による表面電気伝導の異方性評価

増山 智年

（卒論）ナノグラフェンリボンの電子状態に対する不純物効果

2001年度

長内 理尚

（修論）

伊藤 和也

（卒論）遺伝的アルゴリズムを用いた１次元不整合系の最適化

伊藤 哲朗

（卒論）不均一表面層の２端子間２次元電流分布

小濱 和也

（卒論）一次元不整合系におけるAtomicScaleEngineの動作機構