研究室メンバー

次世代III-V族/IV族ハイブリッドCMOSの設計

・III-V族化合物半導体を利用した超高速チャネルの形成
・界面歪みを利用した移動度制御
・良質なIII-V/絶縁膜界面の形成

応用例:超高速ハイブリッドCMOSへの応用

次世代燃料電池システムの創製

Pt-free触媒の開発

応用例:炭素をはじめとするユビキタス元素による新しい触媒材料の設計

稀少金属、重元素を用いない熱電変換材料の設計

熱電変換効率増大のメカニズムの解明

応用例:炭素をはじめとするユビキタス元素による新しい熱電変換材料の設計

希薄磁性半導体超薄膜の結晶成長理論

III-V族化合物半導体表面上の希薄磁性半導体超薄膜の結晶成長素過程の解明と2次元磁性制御

応用例:新しい磁性薄膜の創製

ナノ構造における磁性発現機構の解明

希薄磁性半導体中の3d遷移金属間相互作用の解明

応用例:半導体デバイスと整合するスピンデバイス

ナノ構造の電子相関の理論的解明

2重(多重)量子ドット間の電化・スピン相関機構の解明

応用例:量子コンピュータ基本素子としての可能性、状態制御方法の提案

原子スケール摩擦機構の解明

摩擦力顕微鏡の結像理論の解明,ナノスケール物質の摩擦機構の解明

応用例:ナノスケールメカニクス、MEMSデバイスの設計

カーボン系ナノマテリアルと分子の相互作用メカニズムの解明

ナノチューブ、フラーレンによる分子・ガスセンサの機構解明

応用例:ナノカーボンを用いたナノスケールセンシング、ナノスケール分子フィルタ、ナノスケール温度計、ナノスケールメータ、カーボンベースイオン電池

ナノ構造の誘電特性評価手法の開発

ナノスケールデバイス中の諸界面(半導体/絶縁体/金属)における,原子スケール誘電プロファイルの解明

応用例:次世代CMOSのための物質設計(Siベース、GaAsベース)新しいメタマテリアルの提案(ホモ組成ヘテロ界面を有する超格子デバイス)

半導体中の不純物準位(古くて新しいテーマ)

ナノスケールからの不純物準位の理解

応用例:ナノスケールデバイスにおけるキャリア制御,不純物カップリングを用いたコヒーレント状態制御

オールカーボンデバイスの提案

フラーレン(C60)、ナノチューブ、ナノリボンを構成素子とするナノスケールデバイス(MEMS)

応用例:ナノスケールセンシング、ナノスケールメカニクス

ナノスケール金属微粒子分散媒質の電気伝導、表面電気伝導

異方的導電性の検出とパーコレーション

応用例:鉛フリーはんだ、導電性接着剤、ナノスケール電気伝導測定理論

量子ダイナミクスシミュレーション

量子ダイナミクスに基づくゲームソフトの開発(齊藤),量子ダイナミクス計算手法に基づく量子効果デバイスシミュレーション