卒研生・院生を対象とした、名取研のオープンセミナーです。
毎回、若手・気鋭の研究者を中心にご講演いただきます。
他研究室の学生さん、教職員の方の御参加も歓迎いたします。
次回はの開催は未定です。
お問い合わせ：中村淳（世話人）　／　名取晃子

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第１９回名取研オープンセミナー

講師：清水 共 氏
　　　筑波大学大学院物理工学系博士課程
日時：２００５年５月２０日（金）16:30-17:30
場所：西２号館１０５号室
題目：第一原理計算による超薄膜Al/Si界面の誘電特性

第１８回名取研オープンセミナー

講師：堀内 繁雄 博士
　　　韓国電気研究所　招聘研究員
　　　（元）科学技術庁無機材質研究所　特別研究官
日時：２００４年９月２８日（火）15:00-16:00
場所：西２−１０６
題目：原子の世界で先端材料を探す
概要：透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）は物質のミクロ構造の観察手段をして
広く用いられています。最新のＴＥＭを使えば、原子を見ることも比較的
簡単にできます。本講演では、ＴＥＭを用いて新しい先端材料を探した
研究の中から、次の2つについてお話しします。
（１）ＴＥＭの原理（鏡体、結像）およびＴＥＭで原子が見える理由を説明します。
　　　ＴＥＭの高分解能化のために超高圧ＴＥＭが有利である理由を明らかにし、
　　　超高圧ＴＥＭで我々が試みた実験について述べます。
（２）高分解能ＴＥＭを用いて、どのようにして新しい先端材料を探したかを、
　　　準結晶、超硬質材料、炭素材料などに関係した実際の例について紹介します。

第１７回名取研オープンセミナー

講師：小林 士朗 博士
　　　旭化成株式会社
　　　研究開発本部 情報技術研究所
日時：２００４年８月３日（火）15:00-16:00
場所：西２−１０１
題目：デジタル信号処理ＬＳＩの開発：ブロック浮動小数点技術を用いた短期間開発
概要：デジタル信号処理は、例えば音声や画像の圧縮伸張、変復調、雑音除去、
音声／画像認識などの機能を実現し、不可欠の基本技術として情報化社会を
支えている。しかし、デジタル信号処理の実装には一般的なソフトウェア知識
の他に有限語長効果の理解やその影響評価が不可欠である。そのため、技術者
の数が少ないとか、実装に時間がかかるという現実的な問題がある。本講演では、
ブロック浮動小数点技術を用いたデジタル信号処理アプリケーションの短期間
実装手法について紹介する。合わせて、高性能LSI開発を短期間で開発する為の
ラピッドプロトタイプ型協調設計手法についても紹介する。

第１６回名取研オープンセミナー

講師：門平 卓也 氏
　　　東京大学大学院工学系研究科
　　　科学技術振興事業団CREST研究員
日時：２００４年５月１０日（月）15:00-16:00
場所：IS棟113
題目：Au/Si(111)-(√3×√3)R30°表面構造の研究
概要：Au/Si(111)-(√3×√3)R30°表面は、表面科学の誕生と
ともに研究されてきた系ですが、もっとも基礎的な知見である表面
原子配列さえも 確定していません。これは、次の２つのことに、
あまり注意を払わずに構造解析が進められてきたことに大きく
起因しています。
１：この表面が基板温度やAuの吸着量に依存して、√3×√3周期
を保ちながら表面性状を変化させること
２：その性状が整合領域と非整合領域が混在した非常に複雑な
ものであること
今回は、上記２点を考慮した上で、Au/Si(111)-(√3×√3)R30°
表面原子配列を調べた結果について発表します。

第１２回名取研オープンセミナー

講師：Dr. Vesselin Tonchev
　　　Research Associate, Institute of Physical Chemistry-Bulgarian Academy of Sciences
日時：９月２５日（木）14:00-15:00
場所：西２号館２０１号室
題目：Models of Step Bunching: "Classical" and New Scaling Results
概要：
Models of step movement on vicinal surfaces are reminded and the "classical" (size-) scaling
for step bunches is considered in brief. Then is introduced the idea ofuniversality classes
in bunching phenomena and new model results on the size- and time-scaling for bunches are
reported. In the summary are outlined some challengesboth for theory and experiments.

第１１回名取研オープンセミナー

講師：Dr. Hirofumi Tanaka
　　　Researcher, The Pennsylvania State University
日時：７月１０日（木）１５：００〜１６：３０
場所：図書館新館３階グループ学習室１（３５０号室）
題目：自己組織化で得られる単分子多層膜を利用した新リソグラフィー法 ＝ 分子定規法
概要：
これまでに我々のグループにおいて、従来のリソグラフィー技術と自己組織化の
化学的プロセスを組み合わせることにより、構造物の間に精密にナノメートル
スケールでギャップを作製する方法が開発された(1)(2)。この方法は化学的な
プロセスにより金属―有機物を必要な膜厚まで交互に配向・積層させた3次元的な
分子レジストを利用することにより可能になった。この自己組織化した多層膜を
「分子定規」として利用することにより、精密な構造制御を行うことが可能なのである。
本研究では、まずポリスチレンの球を通常のリソグラフィーに使うマスクの代わりに
使用し、親構造を作製した。このポリスチレン球（直径400nm）を1層だけ細密充填で並べ、
金をその上から蒸着しこの球を取り去ることにより三角形のナノドットが得られる。
この三角形の金ドットを親構造とした。MHDA（16-mercaptohexadecanoic acid）と
Cu2+ イオンの多層膜は金の上にのみ選択的に成長する。自己組織化単分子多層膜が
目的の膜厚にまで成長した時点で次に子構造として白金を蒸着した。その後この単分子
多層膜を取り除くことにより非常に均一なギャップが親構造と子構造の間に得られた。
FE-SEM観察により上記の単分子多層膜をレジストとして使用した際に、ナノスケールの
ギャップがナノ構造物の周りにも得られることが証明された。このギャップの大きさは
単に分子多層膜のレイヤー数を変更するだけで用意に制御可能である。しかも、従来の
電子ビームリソグラフィーよりも安価で、高い解像度でナノ構造が得られることが最大の
特徴である。近い将来この方法が電子デバイスやマイクロマシーンを構築する上でﾞｺﾛ蟐ﾋ利用
されることが期待される。
(1) A. Hatzor and P. S. Weiss, Science 291, 1019 (2001).
(2) M. E. Anderson, R. K. Smith, Z. J. Donhauser, A. Hatzor, P. A. Lewis, L. P. Tan, H. Tanaka, M. W. Horn, and P. S. Weiss, J. Vac. Sci. Tech. B20, 2739-2744 (2002).

第１０回名取研オープンセミナー

講師：渡邉孝信 博士
　　　早稲田大学大学院理工学研究科ナノ理工学専攻　専任客員講師
日時：７月３日（木）１５：００〜１６：３０
場所：図書館新館３階グループ学習室１（３５０号室）
題目：SiO2/Si界面の大規模モデリングとSi表面酸化過程のシミュレーション
概要：
本講演では，我々が開発したSi,O混在系用の原子間ポテンシャル，および
これによって可能となったSiO2/Si界面構造の大規模シミュレーションの
結果を紹介する．界面近傍約1nmの範囲にわたって存在する歪んだ構造遷移
領域や，酸化膜から観察されるX線回折ピークの再現に成功した例を示し，
これまで単なるアモルファス構造と考えられてきたSi酸化膜に元のSi結晶に
由来する秩序が残存しているという，この系に関する新たに得られた描像を
紹介する．更に，Si結晶表面の酸化が１原子層ずつ進行する現象を再現する，
最近の我々のモンテカルロシミュレーションの結果についても述べる．
（注意）
ご来場の際は、学内の方は教職員証もしくは学生証をご持参いただきますよう
お願い申し上げます（入館の際必要です）。

第９回名取研オープンセミナー

講師：尾身博雄 博士
　　　NTT 物性科学基礎研究所
日時：５月２１日（水）１５：００〜１６：３０
場所：西２ー５１３
題目：表面歪制御によるナノ構造形成
概要：
超微細化が進む半導体技術における「究極のナノ構造形成技術」とは一体どのようなものであろうか。我々は、シリコン系では以下の３つの要件を満たす必要がある、と考えている。
1.　ナノ構造のサイズ、形、配置、密度が原子レベルで制御できる。
2.　ウエハースケールでの集積化に適応できる。
3. 従来のデバイス作製プロセスが利用できる。
現在精力的に進められているナノスケールでの構造制御に加え、ウエハースケールからの視点も欠かせないのがこの究極技術の特徴である。このようにオングストロームからナノ、そしてセンチメートルへと非常に幅広い領域を研究の視野に入れた時、ボトムアップ型のアプローチ（自己組織化現象の制御）は依然魅力的な技術の一つである。このような背景のもと、我々は将来のシリコン系デバイスにおける「究極のナノ構造形成技術の確立」を目指し、「表面構造制御によるナノ構造の自己組織化」の研究に取り組んでいる。
本講演では、まずシリコン半導体技術の将来を展望しつつ、ウエハースケールで平坦なシリコン表面上で歪みを人工的に制御する手法を提案し、その有用性をゲルマニウムナノ構造形成および原子ステップの配列制御において実証する。さらに、これらを通じて、この「表面歪制御技術」が将来のシリコン系デバイス作製技術の「究極」となりうるのか、ということについて議論していきたい。
発表内容（予定）
1. はじめに
2. ナノ構造の自己組織化と表面構造制御
3. シリコン表面の局所歪制御の方法
4. 表面歪によるナノ構造の自己組織化制御
１） 原子ステップの配列制御と表面歪エネルギー
２） ゲルマニウムナノ構造の制御
5. まとめ
参考文献：
H.Omi et al.,
Phys. Rev. B 67, 115302 (2003),
Phys. Rev. B 66, 085303 (2002) ,
Phys. Rev. B 67, 035319 (2003),
Phys. Rev. Lett. 88, 256101 (2002),
Phys. Rev. B 66, 035301 (2002)
など

（注意）

ご来場の際は、教職員証もしくは学生証をご持参いただきますよう
お願い申し上げます（入館の際必要です）。