創成的基礎研究(新プロ)第３班名取研究室

分担者

名取晃子

電気通信大学電気通信学部電子工学科教授, TEL＆FAX: 0424-43-5145, e-mail: natori@ee.uec.ac.jp

微細加工によるSi (111) 微斜面のステップ構造制御: 大学院生：村山正彦 (96年度修士卒); 表面微細加工構造の緩和過程がステップ構造に及ぼす影響を、格子ガスモデルのモンテカルロシミュレーションを用いて調べた。
イオン結晶ヘテロ界面の原子構造: 大学院生：戸田健太郎 (97年度修士卒); イオン結晶ヘテロエピタキシャル成長で、格子不整合が薄膜成長モード、界面原子構造に及ぼす影響を、経験的イオン間ポテンシャルと共役勾配法を用いて調べた。
Si(111)面の表面融解: 大学院生：原田博司 (98年度修士卒); Si(111)面表面融解の温度、Si吸着子濃度、ストレイン依存性を、 Tersoff-Dodson型ポテンシャルとモンテカルロシミュレーションを用いて調べた。
Si(100)面の欠損ダイマー構造: 大学院生：西山龍一(96年度修士卒), 川辺虎弘 (99年度修士卒); 異方的欠損ダイマークラスタの安定性と凝集過程を、 Stillinger-Weber型ポテンシャルを用いて調べた。構造安定性は共役勾配法により、凝集過程は格子ガスモデルにより計算した。

III.平成１１年度の研究

Si(100)面の異方的欠損ダイマークラスタの形成ダイナミクス: 大学院生：川辺虎弘 (M2); Si(100)面の２種類の異方的欠損ダイマークラスタの形成過程と競合を、格子ガスモデルを用いて調べる。
Si(111)微斜面のステップ構造変化とステップ揺らぎ：直流通電効果: 大学院生：菅信朗 (M1); Si(111)微斜面の表面エレクトロマイグレーションによるステップ構造変化機構を、TASKモデルを用いて調べる。
O/Cu(100)のc(2x2)ナノドメイン形成と揺らぎ: 大学院生：石丸泰之 (M1); 吸着原子間の短距離相互作用と長距離相互作用の競合による、ナノドメイン形成機構とドメイン境界の揺らぎを、格子ガスモデルを用いて調べる。
Si(111)面上Au超薄膜の電子構造と電荷移動: 共同研究者：村山美佐緒; Si(111)面上のAu超薄膜の、Siホモエピタキシーに対するサーフアクタント機能の解明を目指す。

III.平成１２年度の研究

Si(111)微斜面のステップ構造変化とステップ揺らぎ：直流通電効果: 大学院生：菅信朗 (M2); Si(111)微斜面の表面エレクトロマイグレーションによるステップ構造変化機構を、ステップ庇構造を許したTASKモデルを用いて調べる。
O/Cu(100)のc(2x2)ナノドメイン形成と揺らぎ: 大学院生：石丸泰之 (M2); 吸着原子間の短距離相互作用と長距離相互作用の競合による、ナノドメイン形成機構とドメイン境界の揺らぎを、格子ガスモデルと分子軌道計算を用いて調べる。
Si/Si(111)の表面エレクトロマイグレーションによる力: 大学院生：大野剛士 (M2); Si(111)面上のSiアドアトムに働くウインド力の、第一原理計算を試みる。
Si(100)面のダイマーバックリングダイナミクスに対する欠損ダイマー効果: 大学院生：長内理尚 (M1); Si(100)面のc(4x2)構造相転移に対する欠損ダイマー効果と、欠損ダイマー近傍のダイマーバックリングダイナミクスを、イジングスピンハミルトニアンと格子ガスモデルを用いて調べる。