2023 post COVID-19

(1) Book chapters

(2) Original Papers

• Atomic structure of the Se-passivated GaAs(001) surface revisited
  A.Ohtake, T.Suga, S.Goto, D.Nakagawa, and J. Nakamura
  Scientific Reports 13,  18140 (2023); 10.1038/s41598-023-45142-y (IF=4.6)
• Hydrogen storage on tin carbide monolayers with transition metal adatoms
  L.G. Arellano, A.L. Marcos-Viquez, F. De Santiago, A. Miranda, L.A. Perez, F. Salazar, J. Nakamura, and M. Cruz-Irisson
  Int. J. Hydrogen Energy (2023), published online; DOI: 10.1016/j.ijhydene.2023.04.127 (IF=7.139)
• Theoretical prediction of two-dimensional II-V compounds
  Lucia G. Arellano, Takayuki Suga, Taichi Hazama, Taichi Takashima, Miguel Cruz-Irisson, and Jun Nakamura
  Physical Review Materials 7, 014006 (2023); DOI=10.1103/PhysRevMaterials.7.014006 (IF=3.980)

(3) International Conference

• A simulation for the in-plane distribution of the surface dipole moment using DFT calculations (S7-2)
  31st International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM31), Dec.8, 2023 (Tokyo, Japan)
  A.Sumiyoshi, K.Yamasue, Y.Cho, and J.Nakamura
  
• Edge-Driven Electronic Properties in Bilayer Zigzag SiC Nanoribbons: A First-Principles Study (S4-60)
  31st International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM31), Dec.7, 2023 (Tokyo, Japan)
  J.A.Sharifi, R.Sun, and J.Nakamura
  
• B-doped fullerene: a high-performance electrocatalyst for the CO reduction reaction (S4-53)
  31st International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM31), Dec.7, 2023 (Tokyo, Japan)
  A.F.Ridassepri, Y.Umejima, and J.Nakamura
  
• Visualization of the Local Dipole Moment at the Si(111)-(2x2) Surface Using DFT Calculations (SS+AS+TF-MoA-4)
  AVS 69th International Symposium & Exibition (AVS69), Nov.6, 2023 (Portland, USA)
  A. Sumiyoshi, K. Yamasue, Y. Cho, and J. Nakamura
  
• Hydrogen storage on tin carbide monolayers with transition metal adatoms (Wed-PP-37)
  T36th European Conference on Surface Science (ECOSS36), Aug.30, 2023 (Lodz, Poland)
  L. G. Arellano, J. Rebollo, F. Salazar, A. Trejo, and J. Nakamura
  
• Structural stability and electronic states of AA and AB stacked II-V compounds (Wed-15:20-O-2DM)
  T36th European Conference on Surface Science (ECOSS36), Aug.30, 2023 (Lodz, Poland)
  Lucia Guadalupe Arellano Sartorius and Jun Nakamura
  
• Effects of doping and vacancies in the electronic properties of the SiC monolayer: A DFT approach (MS23-1071-A)
  The 11th Asia Conference on Mechanical and Materials Engineering (ACMME2023), Jun.9, 2023 (Sapporo, Japan)
  Lucia Guadalupe Arellano Sartorius, Ranferi Cancino, Francisco De Santiago, Álvaro Miranda, and Jun Nakamura
  

(4) Domestic Conference

• 「第一原理計算を用いたSi(111)-(2x2)表面における表面双極子の可視化」22p-A307-4
  第84回応用物理学会秋季学術講演会　2023年9月22日（熊本）
  住吉晶、山末耕平、長康雄、中村淳
• 「ダイポールモーメント可視化手法の開発」20
  電気通信大学ナノトライボロジー研究センター第4回 シンポジウム　2023年3月8日（調布）
  住吉晶、中村淳
• 「GaN(0001)表面の再構成構造」19
  電気通信大学ナノトライボロジー研究センター第4回 シンポジウム　2023年3月8日（調布）
  中川大輔、大竹晃浩、中村淳
• 「Boron-doped buckybowlのCOR反応」18
  電気通信大学ナノトライボロジー研究センター第4回 シンポジウム　2023年3月8日（調布）
  柳鐘宇、中村淳
• 「B-doped Fullerene as A Metal-Free Catalyst Material for CO Reduction Reaction」17
  電気通信大学ナノトライボロジー研究センター第4回 シンポジウム　2023年3月8日（調布）
  Arikasuci Fitonna Ridassepri, Yutaro Umejima, and Jun Nakamura
• 「First-Principles Study on Edge-Edge Interactions of Bilayer Zigzag SiC Nanoribbons」16
  電気通信大学ナノトライボロジー研究センター第4回 シンポジウム　2023年3月8日（調布）
  Jawahir Ali Sharifi, Sun Rongyao, and Jun Nakamura
• 「Theoretical prediction of two-dimensional II-V compounds」15
  電気通信大学ナノトライボロジー研究センター第4回 シンポジウム　2023年3月8日（調布）
  Lucia G. Arellano, Takayuki Suga, Taichi Hazama, Taichi Takashima, Miguel Cruz-Irisson, and Jun Nakamura
•  

(5) 解説など

• 「ナノスケールのチューリング・パターン」
  　　　表面と真空 66 (3), 188 (2023)
  　　　　中村淳

(6) Awards

• A.Sumiyoshi, AVS Dorothy M. and Earl S. Hoffman Travel Grant (Oct.2023)

(7) Press release

2022 with COVID-19

(1) Book chapters

(2) Original Papers

• Size optimization of N-doped graphene nanocluster for oxygen reduction reaction
  Haruyuki Matsuyama and Jun Nakamura
  ACS Omega 7, 3093-3098 (2022); DOI=10.1021/acsomega.1c06509 (IF=3.512)
• Tunable electronic properties of silicon nanowires assodium-battery anodes
  L. G. Arellano Sartorius, F. Salazar, A. Miranda, A. Trejo-Baños, L. A. Pérez, M. Cruz-Irisson, and Jun Nakamura
  International Journal of Energy Research 46, 17151-17162, (2022): DOI: 10.1002/er.8378 (IF=5.164)

(3) International Conference

• Structural stability of 2D II-V compounds (TF-WeE-8)
  Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings & Interfaces (pacsurf2022), Dec.14, 2022 (Hawaii, USA)
  Lucia Guadalupe Arellano Sartorius, Takayuki Suga, Taichi Hazama, Taichi Takashima, Miguel Cruz-Irisson, and Jun Nakamura
• Size Dependence of the N-Doped Graphene Nanocluster on the Oxygen Reduction Reaction Activity (Thu-E2-2)
  Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings & Interfaces (pacsurf2022), Dec.13, 2022 (Hawaii, USA)
  Haruyuki Matsuyama, Lucia Guadalupe Arellano Sartorius, and Jun Nakamura
• B-doped Fullerene as A Novel Monoatomic Catalyst Material for CO Reduction Reaction (Thu-E2-2)
  The 22nd International Vacuum Congress (IVC-22), Sep.15, 2022 (Sapporo, Japan)
  Arikasuci Fitonna Ridassepri, Yutaro Umejima, and Jun Nakamura
  
• Effects of substrates on Oxygen Reduction Reaction of Nitrogen-doped Graphene (Thu-J1-2)
  The 22nd International Vacuum Congress (IVC-22), Sep.15, 2022 (Sapporo, Japan)
  Taichi Takashima and Jun Nakamura
  
• Effects of Spin-Orbit Interaction on Mn Atomic Wire on GaAs(110) (PO1C-9)
  The 22nd International Vacuum Congress (IVC-22), Sep.14, 2022 (Sapporo, Japan)
  Motoi Hirayama and Jun Nakamura
  
• Theoretical prediction of novel two-dimensional II-V compounds (PO1B-18)
  The 22nd International Vacuum Congress (IVC-22), Sep.14, 2022 (Sapporo, Japan)
  Lucia Guadalupe Arellano Sartorius, Takayuki Suga, Miguel Cruz Irisson, and Jun Nakamura
  
• First-principles Study on Edge-edge Interactions of Bilayer Zigzag SiC Nanoribbons (Mon-J2-5)
  The 22nd International Vacuum Congress (IVC-22), Sep.12, 2022 (Sapporo, Japan)
  Jawahir Ali Sharifi, Sun Rongyao, and Jun Nakamura
  
• Thermodynamical Stability of 2D sp2/sp3 N-doped Carbon Materials (Mon-G1-6)
  The 22nd International Vacuum Congress (IVC-22), Sep.12, 2022 (Sapporo, Japan)
  Taichi Hazama and Jun Nakamura
  
• Hydrogen storage on li-decorated b-doped silicon carbide monolayer (22)
  International conference on Advanced Nanomaterials (ANM) 2022, Jul. 27, 2022 (Portugal, online)
  Lucia G. Arellano Sartorius, Alma L. Marcos-Viquez, Luis A. Pérez, Jun Nakamura, and Miguel Cruz Irisson
  
• Tin carbide monolayers decorated with transition metal atoms for hydrogen storage (20)
  International conference on Advanced Nanomaterials (ANM) 2022, Jul. 27, 2022 (Portugal, online)
  Lucia G. Arellano Sartorius, Alma L. Marcos-Viquez, Luis A. Pérez, Jun Nakamura, and Miguel Cruz Irisson
  

(4) Domestic Conference

• 「SnドープSnxSr1-xTiO3の構造相転移メカニズムの第一原理的解析」16aGE21-5
  　　　日本物理学会第７７回年次大会　2022年3月16日（オンライン）
  　　　天野優也、中村淳、阿部浩二

(5) 解説など

(6) Awards

(7) Press release

2021 with COVID-19

(1) Book chapters

(2) Original Papers

• Pyrolysis-Free Oxygen Reduction Reaction (ORR) Electrocatalysts Composed of Unimolecular Layer Metal Azaphthalocyanines Adsorbed onto Carbon Materials
  Hiroshi Yabu, Koki Nakamura, Yasutaka Matsuo, Yutaro Umejima, Haruyuki Matsuyama, Jun Nakamura, and Koju Ito
  ACS Appl. Energy Mat.4, 14380-14389 (2021); DOI=10.1021/acsaem.1c03054 (IF=6.024); Adopted as cover art
• Ab initio study of hydrogen storage on metal-decorated GeC monolayers
  Lucia Guadalupe Arellano, Francisco De Santiago, Á　踝aro Miranda, Luis Antonio Pé臼鱚z, Fernando Salazar, Alejandro Trejo, Jun Nakamura, and Miguel Cruz-Irisson
  Int.J. Hydrogen Energy 46, 29261-29271 (2021); DOI=10.1016/j.ijhydene.2021.04.135 (IF=7.139)

(3) International Conference

• Carbonaceous material derived from bagasse-waste as anode for Li-ion batteries(online poster) A1-089
  The 2nd ECTI Workshop on BEC and the 3rd ASEAN-UEC Workshop, Dec.10, 2021 (online)
  Arikasuci Fitonna Ridassepri, Fitria Rahmawati, Agung Tri Wijayanta, and Jun Nakamura
  
• Stacking effect on oxygen reduction reaction of nitrogen-doped graphene(online poster) 30PS-23
  The 9th International Symposium on Surface Science (ISSS-9), Nov.30, 2021 (online)
  Taichi Takashima and Jun Nakamura
  
• Structural stability of II-V compound ultrathin films(online oral) 30aC-3
  The 9th International Symposium on Surface Science (ISSS-9), Nov.30, 2021 (online)
  Lucia G. Arellano Sartorius , Takayuki Suga, Miguel Cruz-Irisson, and Jun Nakamura
  
• Derivatization Effect of Cobalt Phthalocyanine on the Catalytic Activity for Carbon Monoxide Reduction(HC-On Demand-3)
  AVS 67th International Symposium & Exhibition, Oct.25, 2021 (online)
  Y. Umejima and J.Nakamura
  
• Almacenamiento de hidrógeno en GeC bidimensional decorado con metales de transición (LXIV-003781)
  LXIV Congreso Nacional de Física. Tijuana, Baja California, Mexico, 4-8 October 2021
  Lucia G. Arellano, Francisco De Santiago, Álvaro Miranda, María Isabel Iturrios, Luis A. Pérez, Jun Nakamura, and Miguel Cruz-Irisson
  
• Theoretical study of Li-decorated B-doped silicon carbide monolayer for hydrogen storage(P3)
  12th International Conference on Hydrogen Production (ICH2P-2021), Sep.19, 2021 (online)
  Lucia G. Arellano Sartorius, Miguel Cruz-Irisson, and Jun Nakamura
  

(4) Domestic Conference

• 「Edge-edge interactions of bilayer zigzag SiC nanoribbons」2Ea05
  　　　2021年日本表面真空学会学術講演会　2021年11月4日（オンライン）
  　　　孫栄耀、中村淳
• 「コバルトフタロシアニン分子の一酸化炭素還元触媒能：誘導体化の影響」1Ea12
  　　　2021年日本表面真空学会学術講演会　2021年11月3日（オンライン）
  　　　梅島裕太郎、中村淳
• 「Structural stability of 2D II-V compounds」13a-N203-10
  　　　第８２回応用物理学会秋季学術講演会　2021年9月12日（オンライン）
  　　　L.Arellano, T.Suga, M.Cruz-Irisson, Jun Nakamura
• 「コバルトフタロシアニンの誘導体化が一酸化炭素還元触媒能に及ぼす影響」12a-N302-9
  　　　第８２回応用物理学会秋季学術講演会　2021年9月12日（オンライン）
  　　　梅島裕太郎、中村淳
• 「Interaction between the edge states of bilayer zigzag SiC nanoribbons」12a-N307-3
  　　　第８２回応用物理学会秋季学術講演会　2021年9月12日（オンライン）
  　　　Rongyao Sun, Jun Nakamura

(5) 解説など

• 「オゾンの効率的な生成を促す局所原子配列」
  　　　表面と真空 64 (10), 482 (2021)
  　　　　中村淳

(6) Awards

(7) Press release

• 燃料電池・空気電池用非白金触媒を実現 炭素に担持した金属錯体触媒分子を最適化, Dec.16, 2021 （日本経済新聞、日刊工業新聞他多数メディアで紹介）

2020 with COVID-19

(1) International Conference

• Stacking effect of double-layered zigzag graphene nanoribbons  (P0061)
  Virtual Irago Conference 2020, Dec.11, 2020 (Chofu, Japan)
  R.Sun, T.Asano, and J. Nakamura
  
• Hydrogen Storage on Metal Decorated GeC Monolayer  (P0060)
  Virtual Irago Conference 2020, Dec.11, 2020 (Chofu, Japan)
  L.G. Arellano, A. Miranda, M. Cruz-Irisson, and J. Nakamura
  
• Oxygen Reduction Reaction Activity of Nitrogen-Doped Graphene with a Stone-Wales Defect  (P0055)
  Virtual Irago Conference 2020, Dec.11, 2020 (Chofu, Japan)
  X.Lu and J.Nakamura
  
• Derivatization effect of Metal Phthalocyanine on the catalytic activity for carbon monoxide reduction  (P0047)
  Virtual Irago Conference 2020, Dec.11, 2020 (Chofu, Japan)
  Y.Umejima and J.Nakamura
  
• 2D II-V compounds: A mechanism of structural stabilization  (P0037)
  Virtual Irago Conference 2020, Dec.11, 2020 (Chofu, Japan)
  T.Suga and J.Nakamura
  

(2) Domestic Conference

• 「SnxSr1-xTiO3の相転移と局所構造」17aPS-46
  　　　日本物理学会第７５回年次大会　2020年3月17日（名古屋）
  　　　田中広敏、小貝侑弘、中村淳、阿部浩二、中野諭人
• 「窒素ドープグラフェンナノクラスターの酸素還元反応における触媒性 : 最適なクラスターサイズの提案」14p-A403-7
  　　　第６７回応用物理学会春季学術講演会　2020年3月14日（東京）
  　　　松山治薫、中村淳

2019

(1) Book chapters

• Section 7. Solution Plasma Reactions and Materials Synthesis
  Gasidit Panomsuwan, Tomonaga Ueno, Hiroharu Yui, Jun Nakamura, and Nagahiro Saito
  in H.Yamamoto and H.Kato (ed), Molecular Technology, Volume 3: Materials Innovation (Wiley, Feb. 2019) ISBN: 978-3-527-80272-2 (E-book)

(2) Original Papers

• Edge-State-Induced Stacking of Zigzag Graphene Nanoribbons
  T.Asano and J.Nakamura
  ACS Omega 4, 22035-22040 (2019); DOI=10.1021/acsomega.9b03138 (IF=2.584)
• Fe azaphthalocyanine unimolecular layers (Fe AzULs) on carbon nanotubes for realizing highly active oxygen reduction reaction (ORR) catalytic electrodes
  H.Abe, Y.Hirai, S.Ikeda, Y.Matsuo, H.Matsuyama, J.Nakamura, T.Matsue, and H.Yabu
  NPG Asia Materials 11, 57 (1-12) (2019); DOI=10.1038/s41427-019-0154-6 (IF=8.052)
• Oxygen reduction reaction mechanism of N-doped graphene nanoribbons (Editor's Pick)
  H.Matsuyama, S.-I.Gomi, and J.Nakamura
  J.Vac.Sci.Technol B 37, 041803 (1-7) (2019); DOI=10.1116/1.5100535 (IF=1.351)
• Effect of Water on the Manifestation of the Reaction Selectivity of Nitrogen-Doped Graphene Nanoclusters toward Oxygen Reduction Reaction
  H.Matsuyama, A.Akaishi, and J.Nakamura
  ACS Omega 4, 3832-3838 (2019); DOI=10.1021/acsomega.9b00015(IF=2.584)

(3) International Conference

• Chalcogen passivation of GaAs(111)B surfaces (P54)
  Irago Conference 2019, Oct.29, 2019 (Chofu, Japan)
  T.Suga, S.Goto, A.Ohtake, and J.Nakamura
• Structural stability of twisted bilayer graphene nano ribbons (P21)
  Irago Conference 2019, Oct.29, 2019 (Chofu, Japan)
  S.Chiba and J.Nakamura
• Edge-edge interaction in bilayer zigzag graphene nanoribbons (P20)
  Irago Conference 2019, Oct.29, 2019 (Chofu, Japan)
  T.Asano and J.Nakamura
• Oxygen reduction reaction for Fe phthalocyanine derivative (P19)
  Irago Conference 2019, Oct.29, 2019 (Chofu, Japan)
  H.Matsuyama, H.Abe, K.Ito, H.Yabu, and J.Nakamura
• Mechanism of chalcogen passivation of GaAs surfaces (EM+"D+AP+NS+PS-TuM6)
  AVS 66th International Symposium & Exhibition,Oct.21, 2019 (Columbus, USA)
  T.Suga, S.Goto, A.Ohtake, and J.Nakamura
• Structural stability of graphene nanoflakes: From the view point of aromaticity (2D+AP+EM+M1+MN+NS+PS+TF-MoA9)
  AVS 66th International Symposium & Exhibition,Oct.21, 2019 (Columbus, USA)
  M.Ushirozako, H.Matsuyama, A.Akaishi, and J.Nakamura
• Structural stability of graphene nanoflakes: from the view point of aromaticity (Jueves1100) (Special Invited Talk)
  Sociedad Mexicana de Física, LXII Congreso Nacional de Física, Oct 11, 2019 (Tabasco, Mexico)
  J.Nakamura
• Edge-state-induced stacking of zigzag graphene nano-ribbons (Tue1430)
  The 17th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-17), Jun. 25, 2019 (Shanghai, China)
  T.Asano and J.Nakamura
• Functionalization of graphene by N doping: Application to the oxygen reduction reaction (Mon1700)
  The 17th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-17), Jun. 24, 2019 (Shanghai, China)
  H.Matsuyama and J.Nakamura
• Bi-layer formation of water on graphene (Mon1645)
  The 17th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-17), Jun. 24, 2019 (Shanghai, China)
  A.Akaishi, T.Yonemaru, and J.Nakamura
• Chalcogen passivation of GaAs(111)B surfaces (MoP-F-18)
  Compound Semiconductor Week 2019, May 20, 2019 (Nara, Japan)
  T.Suga, S.Goto, A.Ohtake, and J.Nakamura
• Actividad catalítica del grafeno dopado con boro para reacciones de reducción de oxígeno (55)
  Sociedad Mexicana de Física Reunión Anual de la División de Estado Sólido 2019, May 2, 2019 (Papantla, Mexico)
  Lucia Guadalupe Arellano Sartorius and J.Nakamura
• Water wettability of graphene (1145) (Keynote Speech)
  Sociedad Mexicana de Física Reunión Anual de la División de Estado Sólido 2019, May 2, 2019 (Papantla, Mexico)
  J.Nakamura

(4) Domestic Conference

• 「鉄フタロシアニンの誘導体化による酸素還元反応の高活性化メカニズム」18a-B12-2
  　　　第８０回応用物理学会秋季学術講演会　2019年9月17日（札幌）
  　　　松山治薫、阿部博弥、伊藤晃寿、藪浩、中村淳
• 「窒素ドープグラフェンナノリボンにおける酸素還元反応」9p-W521-15
  　　　第６６回応用物理学会春季学術講演会　2019年3月9日（大岡山）
  　　　松山治薫、五味駿一、中村淳
• 「カルコゲンによるGaAs表面の不働態化機構」17:00
  　　　東京理科大学ナノカーボン研究部門2018年度成果報告会&第4回東京理科大学-電気通信大学合同研究会　2019年3月1日（神楽坂）
  　　　中村淳
• 「GaAs(111)B表面構造の分子分圧依存性」14
  　　　東京理科大学ナノカーボン研究部門2018年度成果報告会&第4回東京理科大学-電気通信大学合同研究会　2019年3月1日（神楽坂）
  　　　須賀隆之、後藤俊治、中村淳
• 「Structural stability of the Se- or S-treated GaAs (111) B surface」13
  　　　東京理科大学ナノカーボン研究部門2018年度成果報告会&第4回東京理科大学-電気通信大学合同研究会　2019年3月1日（神楽坂）
  　　　　後藤俊治、中村淳
• 「Oxygen Reduction Reaction on Fullerene」12
  　　　東京理科大学ナノカーボン研究部門2018年度成果報告会&第4回東京理科大学-電気通信大学合同研究会　2019年3月1日（神楽坂）
  　　　　菊地庸介、中村淳

(5) 解説など

• 「典型的な二元系化合物半導体の新しい超薄膜構造」
  　　　表面と真空 62 (11), 686 (2019)
  　　　　中村淳

(6) Awards

• T.Suga, AVS Dorothy M. and Earl S. Hoffman Travel Grant (Oct.2019)
• Jun Nakamura, Reconocimiento (Ayuntamiento de Papantla, Veracruz, Mexico), May 2, 2019

(7) メディアリリース

• 高活性な非白金酸素還元触媒の作製に成功！−安価な燃料電池や金属空気電池の実現に期待−, Oct 18, 2019 （日本経済新聞、日刊工業新聞他多数メディアで紹介）

2018

(1) Original Papers

• Atomic structure and passivated nature of the Se-treated GaAs(111)B surface
  A.Ohtake, S.Goto, and J.Nakamura
  Scientific Reports 8, 1220 (1-8) (2018). (IF= 4.259)
• Softly-confined Water Cluster between Freestanding Graphene Sheets
  R.Agustian, A.Akaishi, and J.Nakamura
  AIP Conf. Proc. 1929, 020006 (1-5) (2018).
• Structural stability and aromaticity of pristine and doped graphene nanoflakes
  A.Akaishi, M.Ushirozako, H.Matsuyama, and J.Nakamura
  Japanese Journal of Applied Physics 57, 0102BA (1-7) (2018). (IF= 1.452)

(2) International Conference

• Oxygen Reduction Reaction Mechanism for N-doped Graphene Nanoribbons (TF-WeP30)
  Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings & Interfaces (pacsurf2018), Dec.5, 2018 (Hawaii, USA)
  H. Matsuyama, S. Gomi, and J.Nakamura
• Edge-state-induced stacking of zigzag graphene nano-ribbons (P68)
  The Irago Conference 2018, Nov.1, 2018 (Tokyo, Japan)
  T. Asano and J. Nakamura
• Na- and Be-decorated silicon carbide monolayer for H2 storage: a DFT study (P52)
  The Irago Conference 2018, Nov.1, 2018 (Tokyo, Japan)
  L. G. Arellano, F. de Santiago, A. Miranda, M. Cruz-Irisson, and J. Nakamura
• Oxygen Reduction Reaction on fullerene (P51)
  The Irago Conference 2018, Nov.1, 2018 (Tokyo, Japan)
  Y. Kikuchi and J. Nakamura
• Systematic evaluation of the structural stability of nitrogen-doped graphene (P50)
  The Irago Conference 2018, Nov.1, 2018 (Tokyo, Japan)
  S. Chiba and J. Nakamura
• Structural stability of the Se- or S-treated GaAs (111) B surface (P49)
  The Irago Conference 2018, Nov.1, 2018 (Tokyo, Japan)
  S. Goto, A. Ohtake, and J. Nakamura
• Oxygen reduction reaction activity for N-doped graphene nanoclusters (P48)
  The Irago Conference 2018, Nov.1, 2018 (Tokyo, Japan)
  H. Matsuyama, and J. Nakamura
• Stabilization Mechanism of the Se- or S-treated GaAs(111)B Surface (SS+AS+EM-WeA4)
  American Vacuum Society 65th International Symposium & Exhibition (AVS-65), Oct.24, 2018 (Long Beach, USA)
  S. Goto, A. Ohtake, and J. Nakamura
• Double Layer Formation of Water Molecules on Graphene (SS+HC-WeM13)
  American Vacuum Society 65th International Symposium & Exhibition (AVS-65), Oct.24, 2018 (Long Beach, USA)
  A. Akaishi, T. Yonemaru, and J. Nakamura
• Oxygen Reduction Reaction on Fullerene (SS+HC+NS+PS-TuM11)
  American Vacuum Society 65th International Symposium & Exhibition (AVS-65), Oct.23, 2018 (Long Beach, USA)
  Y. Kikuchi and J. Nakamura
• Formation of Water Layer on Graphene Surfaces(1405) (INVITED TALK)
  International Symposium of Water Frontier Science & Technology Research Center,Water on Materials Surface 2018 (WMS2018), Jul. 27, 2018 (Tokyo, Japan)
  J. Nakamura
• Intra- and inter-layer magnetic interactions in a van der Waals crystal (MN3)
  The 6th International Workshop on Solution Plasma and Molecdular Technology (SPM6), Jun. 5, 2018 (Gdansk, Poland)
  M. Kawashima, A. Akaishi, and J. Nakamura
• Systematic evaluation of the structural stability of N-doped graphene (MN2)
  The 6th International Workshop on Solution Plasma and Molecdular Technology (SPM6), Jun. 5, 2018 (Gdansk, Poland)
  S. Chiba and J. Nakamura
• Edge-state-induced stacking of zigzag graphene nano-ribbons (MN1)
  The 6th International Workshop on Solution Plasma and Molecdular Technology (SPM6), Jun. 5, 2018 (Gdansk, Poland)
  T. Asano and J. Nakamura
• Water layer formation on graphene (I4) (INVITED TALK)
  The 6th International Workshop on Solution Plasma and Molecdular Technology (SPM6), Jun. 5, 2018 (Gdansk, Poland)
  J. Nakamura
• Intra- and inter-layer magnetic interactions in a van der Waals crystal (O48.15)
  2018 DPG Joint meeting of the DPG and EPS Condesed Matter Divisions, Mar. 13, 2018 (Berlin, Germany)
  M.Kawashima, A. Akaishi, and J. Nakamura
• Formation of Water Bilayer on Graphene Surfaces (PCSI-TuM12)
  45th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI-45), Jan. 16, 2018 (Kailua-Kona, USA)
  A. Akaishi and J. Nakamura
• Quantitative Relation between the Structural Stability and the Aromaticity of Graphene Nanoflakes (PCSI-TuM11)
  45th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI-45), Jan. 16, 2018 (Kailua-Kona, USA)
  M. Ushirozako, H. Matsuyama, A. Akaishi, and J. Nakamura
• Effect s of Edge Structures on the Oxygen Reduction Reaction Activity of Nitrogen-doped Graphene Nanoribbons (PCSI-TuM8)
  45th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI-45), Jan. 16, 2018 (Kailua-Kona, USA)
  S.-I. Gomi, H. Matsuyama, A. Akaishi, and J. Nakamura

(3) Domestic Conference

• 「窒素ドープグラフェンナノクラスターの酸素還元反応に対する触媒性」210
  　　　第３２回ダイヤモンドシンポジウム　2018年11月15日（調布）
  　　　　松山治薫、中村淳
• 「グラフェンは疎水性か？」208 （基調講演）
  　　　第３２回ダイヤモンドシンポジウム　2018年11月15日（調布）
  　　　　中村淳
• 「２層ジグザググラフェンナノリボンのエッジ状態間相互作用」21a-311-5
  　　　第７９回応用物理学会秋季学術講演会　2018年9月21日（名古屋）
  　　　　浅野大造、中村淳
• 「窒素ドープグラフェンの構造安定性の系統的評価応」21a-311-3
  　　　第７９回応用物理学会秋季学術講演会　2018年9月21日（名古屋）
  　　　　千葉紗彩、中村淳
• 「窒素ドープグラフェンのベーサル面における酸素還元反応」21a-311-1
  　　　第７９回応用物理学会秋季学術講演会　2018年9月21日（名古屋）
  　　　　松山治薫、中村淳
• 「酸素還元反応におけるフラーレンの触媒性」19p-224B-15
  　　　第７９回応用物理学会秋季学術講演会　2018年9月19日（名古屋）
  　　　　菊地庸介、中村淳
• 「S処理された GaAs(111)B 表面の構造安定性」17p-F214-2
  　　　第７９回応用物理学会秋季学術講演会　2018年9月18日（名古屋）
  　　　　後藤俊治、大竹晃浩、中村淳
• 「Se処理された GaAs(111)B 表面の構造安定性」17p-F214-2
  　　　第６５回応用物理学会春季学術講演会　2018年3月17日（新宿）
  　　　　後藤俊治、大竹晃浩、赤石暁、中村淳
• 「InGaN混晶中におけるIn-In相互作用」16
  　　　電気通信大学ナノトライボロジー研究センター第２回シンポジウム「物性科学から工学へ」　2018年3月7日（調布）
  　　　　畑木尚、中村淳
• 「窒素ドープグラフェンの構造安定性に局所的窒素配列が及ぼす影響」15
  　　　電気通信大学ナノトライボロジー研究センター第２回シンポジウム「物性科学から工学へ」　2018年3月7日（調布）
  　　　　千葉紗彩、赤石暁、中村淳
• 「窒素ドープグラフェン上の酸素還元反応の窒素配位依存性」14
  　　　電気通信大学ナノトライボロジー研究センター第２回シンポジウム「物性科学から工学へ」　2018年3月7日（調布）
  　　　　松山治薫、赤石暁、中村淳
• 「Structural stability of the Se-treated GaAs(111)B surface」13
  　　　電気通信大学ナノトライボロジー研究センター第２回シンポジウム「物性科学から工学へ」　2018年3月7日（調布）
  　　　　後藤俊治、中村淳
• 「LiMO2(M=Mn,Co,Ni)の熱力学的安定性および磁気的特性の第一原理計算による評価」12
  　　　電気通信大学ナノトライボロジー研究センター第２回シンポジウム「物性科学から工学へ」　2018年3月7日（調布）
  　　　　宮本惇、中村淳

(4) Awards

• Y.Kikuchi, AVS Dorothy M. and Earl S. Hoffman Travel Grant (Oct.2018)
• S.Goto, AVS Dorothy M. and Earl S. Hoffman Travel Grant (Oct.208)

2017

(1) Original Papers

• Reaction Selectivity for Oxygen Reduction of N-Doped Graphene Nanoclusters
  H.Matsuyama, A.Akaishi, and J.Nakamura
  ECS Trans. 80, 685-690 (2017).
• Formation of Water Layer on Graphene Surfaces
  A.Akaishi, T.Yonemaru, and J.Nakamura
  ACS Omega 2, 2184-2190 (2017).

(2) International Conference

• Effect of edge structures on the oxygen reduction reaction activity of nitrogen-doped graphene nanoribbons(P54)
  The Irago Conference 2017, Nov.1, 2017 (Chofu, Japan)
  S. Gomi, H. Matsuyama, A. Akaishi, and J. Nakamura
• Relationship between Stability and Aromaticity of Graphene Nanoflakes(P42)
  The Irago Conference 2017, Nov.1, 2017 (Chofu, Japan)
  A. Akaishi, M. Ushirozako, H. Matsuyama, and J. Nakamura
• Softly-confined water cluster between free standing graphene sheets(GSS2-7)
  The Irago Conference 2017, Nov.1, 2017 (Chofu, Japan)
  R. Agustian, A. Akaishi, and J. Nakamura
• Structural stability of the Se-treated GaAs(111)B surface (GSS2-6)
  The Irago Conference 2017, Nov.1, 2017 (Chofu, Japan)
  S. Goto, A. Ohtake, A. Akaishi, and J. Nakamura
• Oxygen Reduction Reaction on N-doped Graphene Nanoclusters: Dependence on Nitrogen Configuration (2P-42)
  International Symposium on Novel Energy Nanomaterials, Catalysts and Surfaces for Future Earth (NENCS), Oct. 28, 2017 (Chofu, Japan)
  H. Matsuyama, A. Akaishi, and J. Nakamura
• Anomalous Enhancement of Seebeck Coefficients fo the Graphene/h-BN Composites(O-10)
  International Symposium on Novel Energy Nanomaterials, Catalysts and Surfaces for Future Earth (NENCS), Oct. 28, 2017 (Chofu, Japan)
  J. Nakamura, and A. Akaishi
• Reaction Selectivity for Oxygen Reduction of N-Doped Graphene Nanoclusters (1496)
  232nd ECS Meeting, Oct. 1, 2017 (National Harbor, MD, USA)
  H. Matsuyama, A. Akaishi, and J.Nakamura
• Structual Stability of Graphene Nanoflakes: from the View Point of Aromaticity (C1) (INVITED TALK)
  The 5th International Workshop on Solution Plasma and Molecdular Technology (SPM5), Jun. 27 , 2017 (Greifswald, Germany)
  J. Nakamura, M. Ushirozako, H. Matsuyama, and A. Akaishi
• Two- to Three-Dimentional Transition of Softly Confined Water Between Graphene Sheets (MN2)
  The 5th International Workshop on Solution Plasma and Molecdular Technology (SPM5), Jun. 27 , 2017 (Greifswald, Germany)
  R. Agustian, A. Akaishi, and J. Nakamura
• Site-dependent Oxygen Reduction Reaction of N-doped Graphene Nanoclusters (PCSI-MoA41)
  44th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI-44), Jan. 16, 2017 (Santa Fe, USA)
  H. Matsuyama, S.-I. Gomi, M. Ushirozako, A. Akaishi, and J. Nakamura
• Mechanism of Stabilization and Magnetization of Impurity-doped Zigzag Graphene Naoribbons (PCSI-MoA7)
  44th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI-44), Jan. 16, 2017 (Santa Fe, USA)
  Y. Uchida, S.-I. Gomi, H. Matsuyama, A. Akaishi, and J. Nakamura

(3) Domestic Conference

• 「グラフェン界面の水のダイナミクス」1650
  　　　電気通信大学ナノトライボロジー研究センター第１回シンポジウム「表面界面の科学と摩擦」　2017年9月30日（調布）
  　　　　赤石暁、中村淳
• 「Se処理したGaAs(111)B表面の構造安定性」11
  　　　電気通信大学ナノトライボロジー研究センター第１回シンポジウム「表面界面の科学と摩擦」　2017年9月30日（調布）
  　　　　後藤俊治、中村淳
• 「グラフェン層間に拘束された水分子クラスターの動的構造評価」10
  　　　電気通信大学ナノトライボロジー研究センター第１回シンポジウム「表面界面の科学と摩擦」　2017年9月30日（調布）
  　　　　Rifan Agustian、中村淳
• 「窒素ドープグラフェンナノリボンの酸素還元触媒能に及ぼすエッジの効果」9
  　　　電気通信大学ナノトライボロジー研究センター第１回シンポジウム「表面界面の科学と摩擦」　2017年9月30日（調布）
  　　　　五味駿一、中村淳
• 「酸素還元反応における窒素ドープグラフェンナノクラスターの触媒性：窒素配位依存性」7a-C16-7
  　　　第７８回応用物理学会秋季学術講演会　2017年9月7日（福岡）
  　　　　松山治薫、赤石暁、中村淳
• 「Two- to Three-dimensional Transition of Confined Water between Freestanding Graphene Sheets」7a-C16-6
  　　　第７８回応用物理学会秋季学術講演会　2017年9月7日（福岡）
  　　　Rifan Agustian, Akira Akaishi, Jun Nakamura
• 「グラフェンナノフレークの構造安定性と芳香族性」7a-C11-6
  　　　第７８回応用物理学会秋季学術講演会　2017年9月7日（福岡）
  　　　　赤石暁、後迫真人、松山治薫、中村淳
• 「Se処理GaAs(111)B表面の安定化機構」5p-C21-13
  　　　第７８回応用物理学会秋季学術講演会　2017年9月5日（福岡）
  　　　　大竹晃浩、後藤俊治、中村淳
• 「二軸性歪み下におけるGaSbの電気伝導率の面方位依存性」17a-B5-12
  　　　第６４回応用物理学会春季学術講演会　2017年3月17日（日吉）
  　　　　岸本秀輝、赤石暁、中村淳
• 「グラフェン表面における水の吸着と構造化」1S3-15（招待講演）
  　　　日本化学会第９７春季年会　2017年3月16日（日吉）
  　　　　赤石暁、中村淳
• 「曲率を有するグラフェン表面における水ナノクラスターの吸着特性」p15
  　　　ナノトライボロジー研究センター開設シンポジウム　2017年3月8日（調布）
  　　　　玉村優佳、赤石暁、中村淳
• 「Se吸着GaAs(111)B表面の構造安定性」p1４
  　　　ナノトライボロジー研究センター開設シンポジウム　2017年3月8日（調布）
  　　　　後藤俊治、赤石暁、中村淳
• 「窒素ドープカイラルエッジグラフェンナノリボンの構造安定性」p13
  　　　ナノトライボロジー研究センター開設シンポジウム　2017年3月8日（調布）
  　　　　菊地庸介、赤石暁、中村淳
• 「窒素ドープグラフェンナノクラスター上における酸素還元反応の窒素原子位置依存性」p12
  　　　ナノトライボロジー研究センター開設シンポジウム　2017年3月8日（調布）
  　　　　松山治薫、赤石暁、中村淳
• 「グラフェン上の水２重層構造」p11
  　　　ナノトライボロジー研究センター開設シンポジウム　2017年3月8日（調布）
  　　　　赤石暁、中村淳

(4) 解説など

• 「二次元原子層シートの磁性」
  　　　表面科学　38(10), 534 (2017)
  　　　　中村淳

(5) 受賞

• Graduate Student Session, Best presentation Award (Irago Conference 2017)
  受賞対象論文："Softly-confined water cluster between free standing graphene sheets" by Rifan Agustian, Akira Akaishi, Jun Nakamura
• The best presentation awards, 2nd place (SPM-5, The 5th International Workshop on Solution Plasma and Molecular Technologies)
  受賞対象論文："Two- to Three-Dimentional Transition of Softly Confined Water Between Graphene Sheets" by Rifan Agustian, Akira Akaishi, Jun Nakamura

   

  
  

  2016

  (1) Original Papers

  • Mechanism of stabilization and magnetizationf impurity-doped zigzag graphene nanoribbons
    Y.Uchida, S.-I.Gomi, H.Matsuyama, A.Akaishi, and J.Nakamura
    Journal of Applied Physics 120, 214301 (1-7) (2016). (IF= 2.064)
  • Mn-induced surface reconstructions on GaAs(001)
    A.Ohtake, A.Hagiwara, K.Okukita, K.Funatsuki, and J.Nakamura
    Journal of Physical Chemistry C 120, 6050-6062 (2016). (IF=4.536)
  • First-principles study of locally disordered structures of Mn-induced GaAs(001)-(2x2) surface
    A.Akaishi, K.Funatsuki, A.Ohtake, and J.Nakamura
    Japanese Journal of Applied Physics (JJAP) 55, 08NB21(1-4) (2016). (IF= 1.452)

  (2) Review papers

  • Anomalous enhancement of Seebeck coefficients of the Graphene/h-BN composites (Review, Invited)
    J.Nakamura and A.Akaishi
    Japanese Journal of Applied Physics (JJAP), 55, 1102A9(1-9) (2016). (IF= 1.452)

  (3) International Conference

  • Structural stability of graphene nanoflakes (P86)
    The Irago Conference 2016, Nov.1, 2016 (Chofu, Japan)
    M. Ushirozako, A. Akaishi, and J. Nakamura
  • Formation of water layers on graphene surfaces (P54)
    The Irago Conference 2016, Nov.1, 2016 (Chofu, Japan)
    A. Akaishi and J. Nakamura
  • Oxygen reduction reaction on nitrogen-doped graphene nanoribbons (P47)
    The Irago Conference 2016, Nov.1, 2016 (Chofu, Japan)
    S.-I. Gomi, H. Matsuyama, A. Akaishi, and J. Nakamura
  • Oxygen reduction reaction on nitrogen-doped graphene nanoclusters (P34)
    The Irago Conference 2016, Nov.1, 2016 (Chofu, Japan)
    H. Matsuyama, S. Tanaka, A. Akaishi, and J. Nakamura
  • Electrical conductivity of the biaxally-strained GaSb (P33)
    The Irago Conference 2016, Nov.1, 2016 (Chofu, Japan)
    H. Kishimoto, T. Hatayama, A. Akaishi, and J. Nakamura
  • Interfacial water layer on doped graphene surfaces (Th3S-6)
    13th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN 2016), Oct. 12, 2016 (Rome, Italy)
    A. Akaishi and J.Nakamura
  • Structural stability of graphene nanoflakes (P26)
    13th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN 2016), Oct. 12, 2016 (Rome, Italy)
    M.Ushirozako, A. Akaishi, and J.Nakamura
  • Electrical conductivity of the biaxially-strained GaSb(111) and GaAs(001) (P13)
    13th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN 2016), Oct. 12, 2016 (Rome, Italy)
    H. Kishimoto, T. Hatayama, A. Akaishi, and J.Nakamura
  • Electrical conductivity of the biaxially-strained GaSb(111) films (MoP-ISCS-074)
    The 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2016), Jun. 27, 2016 (Toyama, Japan)
    T. Hatayama, H. Kishimoto, A. Akaishi, and J.Nakamura
  • Water adsorption on doped graphene surfaces (O3)
    4th International Workshop on Solution Plasma and Molecular Technologies (SPM-4), Jun. 8, 2016 (Pilsen, Czech Republic)
    A.Akaishi and J.Nakamura
  • Mechanism of Stabilization and Magnetization of Impurity-doped Zigzag Graphene Nanoribbons (J2) (INVITED TALK)
    4th International Workshop on Solution Plasma and Molecular Technologies (SPM-4), Jun. 8, 2016 (Pilsen, Czech Republic)
    J.Nakamura, Y.Uchida, S.Gomi, H.Matsuyama, and A.Akaishi
  • Effects of edge structures on oxygen reduction reaction for nitrogen-doped graphene nanoclusters (MN5)
    4th International Workshop on Solution Plasma and Molecular Technologies (SPM-4), Jun. 8, 2016 (Pilsen, Czech Republic)
    H.Matsuyama, S.Tanaka, A.Akaishi and J.Nakamura
  • Anomalous enhancement of Seebeck coefficients for the graphene/h-BN composites(B14) (INVITED TALK)
    EMN Meeting on Carbon Nanostructures, Mar. 29, 2016 (Honolulu, USA)
    J.Nakamura and Y.Yokomizo

  (4) Domestic Conference

  • 「酸素還元反応における窒素ドープグラフェンナノクラスターの触媒性」1Ea0８
    　　　２０１６年真空・表面科学合同講演会　2016年11月29日（名古屋）
    　　　　松山治薫、田中崇太郎、赤石暁、中村淳
  • 「窒素ドープグラフェンナノリボンの酸素還元反応における触媒性」1Ea07
    　　　２０１６年真空・表面科学合同講演会　2016年11月29日（名古屋）
    　　　　五味駿一、松山治薫、赤石暁、中村淳
  • 「グラフェンナノリボンの物性」3　（招待講演）
    　　　日本磁気学会　第６２回磁気工学専門研究会　2016年11月18日（田町）
    　　　　中村淳
  • 「GaSbの電気伝導率の二軸性歪み依存性」16a-B9-6
    　　　第７７回応用物理学会秋季学術講演会　2016年9月16日（新潟）
    　　　　岸本秀輝、畑山拓也、赤石暁、中村淳
  • 「窒素ドープグラフェンナノクラスター上の酸素還元反応」15a-A33-4
    　　　第７７回応用物理学会秋季学術講演会　2016年9月15日（新潟）
    　　　　松山治薫、田中崇太郎、赤石暁、中村淳
  • 「グラフェンの大気由来吸着物」22a-S011-16
    　　　第６３回応用物理学会春季学術講演会　2016年3月22日（大岡山）
    　　　　日比野浩樹、小川友以、高村真琴、Wang Shengnan、関根佳明、赤石暁、中村淳
  • 「窒素ドープグラフェン上における酸素還元反応」29
    　　　合同若手研究会 -表面・界面現象の新展開：吸着・物質移動・エネルギー散逸-　2016年3月14日（神楽坂）
    　　　　松山治薫、田中崇太郎、赤石暁、中村淳
  • 「GaSb(111)薄膜の電気伝導率の歪み依存性」22
    　　　合同若手研究会 -表面・界面現象の新展開：吸着・物質移動・エネルギー散逸-　2016年3月14日（神楽坂）
    　　　　岸本秀輝、畑山拓也、赤石暁、中村淳
  • 「Mn吸着GaAs(001)-(2x2)表面の局所無秩序構造」21
    　　　合同若手研究会 -表面・界面現象の新展開：吸着・物質移動・エネルギー散逸-　2016年3月14日（神楽坂）
    　　　　船附顕汰、赤石暁、中村淳
  • 「グラフェン表面における水の吸着と構造」4
    　　　合同若手研究会 -表面・界面現象の新展開：吸着・物質移動・エネルギー散逸-　2016年3月14日（神楽坂）
    　　　　赤石暁、中村淳

  (5) 解説など

  • 「グラファイト／グラフェン表面上の水の濡れ性」
    　　　表面科学　37, 193 (2016)
    　　　　中村淳

   

  
  

  2015

  (1) Original Papers

  • Anomalous Stabilization in Nitrogen-Doped Graphene
    T.Umeki, A.Akaishi, A.Ichikawa, and J.Nakamura
    Journal of Physical Chemistry C 119, 6288-6292 (2015). (IF=4.536)

  (2) International Conference

  • Layered Water on Graphene Surfaces(A12) (INVITED TALK)
    2015 EMN Bangkok Meeting, Nov.10, 2015 (Bangkok, Thailand)
    A.Akaishi and J.Nakamura
  • First-principles Evaluation of The Oxygen Reduction Reaction on Nitrogen-doped Graphene(A11) (INVITED TALK)
    2015 EMN Bangkok Meeting, Nov.10, 2015 (Bangkok, Thailand)
    J.Nakamura, A.Ichikawa, H.Matsuyama, and A.Akaishi
  • Strain effect on the hole effective mass of GaSb: A first-priciples study(P58)
    The Irago Conference 2015, Oct.23, 2015 (Tahara, Japan)
    H.Kishimoto, T.Hatayama, A.Akaishi, and J.Nakamura
  • First-principles study on locally-disordered structures of the Mn-induced GaAs(001)-(2 x 2) surface(P57)
    The Irago Conference 2015, Oct.23, 2015 (Tahara, Japan)
    K.Funatsuki, A.Akaishi, and J.Nakamura
  • Conformational stabilization of graphene nanoflakes(P28)
    The Irago Conference 2015, Oct.23, 2015 (Tahara, Japan)
    M.Ushirozako, A.Akaishi, and J.Nakamura
  • Oxygen reduction reaction on the basal plane of nitrogen-doped graphene: Effects of local arrangement of dopants(GSS1)
    The Irago Conference 2015, Oct.23, 2015 (Tahara, Japan)
    H.Matsuyama, A.Ichikawa, A.Akaishi, and J.Nakamura
  • Oxygen Reduction Reaction on Nitrogen-doped Graphene(2D+EM+IS+MC+NS+SP+SS-WeA12)
    American Vacuum Society 62nd International Symposium & Exhibition (AVS-62),Oct.21, 2015 (San Jose, USA)
    J.Nakamura, A.Ichikawa, H.Matsuyama, and A.Akaishia
  • Edge-state-induced Stabilization of Dopants in Graphene(2D+MN+NS+SP+SS+TF-WeM11)
    American Vacuum Society 62nd International Symposium & Exhibition (AVS-62),Oct.21, 2015 (San Jose, USA)
    Y.Uchida, A.Akaishi, and J.Nakamura
  • Electronic Structures of the Biaxiallystrained GaSb(111) Films(TF+AS+SS-MoM9)
    American Vacuum Society 62nd International Symposium & Exhibition (AVS-62),Oct.19, 2015 (San Jose, USA)
    T.Hatayama, A.Akaishi, and J.Nakamura
  • Oxygen reduction reaction on the basal plane of nitrogen- doped graphene(Th-A02)
    31st European Conference on Surface Science (ECOSS-2015), Sep. 3, 2015 (Barcelona, Spain)
    J.Nakamura, A.Ichikawa, H.Matsuyama, and A.Akaishi
  • Wettability of graphene surface(P-Mo-015)
    31st European Conference on Surface Science (ECOSS-2015), Sep. 3, 2015 (Barcelona, Spain)
    A.Akaishi and J.Nakamura
  • Oxygen reduction reaction on the basal plane of nitrogen-doped graphene(WedP41)
    Graphene Week 2015, Jun.24, 2015 (Manchester, England)
    J.Nakamura, A.Ichikawa, H.Matsuyama, and A.Akaishi
  • Water layers on graphene surface (WedP5)
    Graphene Week 2015, Jun.24, 2015 (Manchester, England)
    A.Akaishi and J.Nakamura
  • Double-layer structure of water molecules on the graphene surface (O6)
    3rd International Workshop on Solution Plasma and Molecular Technologies (SPM-3), May 8, 2015 (Bangkok, Thailand)
    A.Akaishi and J.Nakamura
  • Oxygen reduction reaction on nitrogen-doped graphene(J5) (INVITED TALK)
    3rd International Workshop on Solution Plasma and Molecular Technologies (SPM-3), May 7, 2015 (Bangkok, Thailand)
    J.Nakamura, A.Ichikawa, H.Matsuyama, and A.Akaishi
  • Catalytic reaction of oxygen on nitrogen-doped graphene(MN9)
    3rd International Workshop on Solution Plasma and Molecular Technologies (SPM-3), May 6, 2015 (Bangkok, Thailand)
    H.Matsuyama, A.Ichikawa, A.Akaishi, and J.Nakamura
  • Structural Stability of B-, N-Doped Graphene Nanoribbons (A6-P-15)
    7th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2015), Mar. 30, 2015 (Nagoya, Japan)
    Y.Uchida, A.Akaishi, and J.Nakamura
  • Universal Feature of Seebeck Coefficients in Graphene/h-BN Nano-Composites (A6-P-14)
    7th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2015), Mar. 30, 2015 (Nagoya, Japan)
    Y.Ayako, A.Akaishi, and J.Nakamura
  • Electrocatalytic Activity for Oxygen Reduction on Nitrogen-Doped Graphene (A6-P-13)
    7th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2015), Mar. 30, 2015 (Nagoya, Japan)
    A.Ichikawa, A.Akaishi, and J.Nakamura
  • Giant Seebeck Coefficiens for the Graphene/h-BN Superlattice (A6-O-01)
    7th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2015), Mar. 28, 2015 (Nagoya, Japan)
    J.Nakamura and Y.Yokomizo
  • Catalytic Reduction of Oxygen on Nitrogen-doped Graphene (Mo-1735)
    42nd Conference on the Physics & Chemistry of Surfaces & Interfaces (PCSI-42), Jan. 19, 2015 (Snowbird, Utah, USA)
    A.Ichikawa, A.Akaishi, and J.Nakamura

  (3) Domestic Conference

  • 「グラフェンナノフレークの構造安定性」C4-P8-013
    　　　第２５回日本ＭＲＳ年次大会　2015年12月8日（横浜）
    　　　　後迫真人、赤石暁、中村淳
  • 「窒素ドープグラフェン上の酸素還元触媒の第一原理計算」C4-P8-011
    　　　第２５回日本ＭＲＳ年次大会　2015年12月8日（横浜）
    　　　　松山治薫、市川諒英、赤石暁、中村淳
  • 「不純物ドープグラフェンナノリボンの安定化機構」C4-O8-014
    　　　第２５回日本ＭＲＳ年次大会　2015年12月8日（横浜）
    　　　　内田優希、赤石暁、中村淳
  • 「グラフェン表面の水の二重層構造」C4-O8-013
    　　　第２５回日本ＭＲＳ年次大会　2015年12月8日（横浜）
    　　　　赤石暁、中村淳
  • 「グラフェンのエッジ状態がもたらす不純物の安定化機構」
    　　　第３５回表面科学学術講演会　2015年12月1日（つくば）
    　　　　内田優希、赤石暁、中村淳
  • 「グラフェン表面における水分子層の構造化」
    　　　第３５回表面科学学術講演会　2015年12月1日（つくば）
    　　　　赤石暁、中村淳
  • 「グラフェンおよびグラフェンナノリボンのバリスティックフォノン熱伝導」（依頼講演）
    　　　第３５回表面科学学術講演会　2015年12月1日（つくば）
    　　　　中村淳
  • 「窒素ドープグラフェン表面における酸素還元反応：窒素濃度依存性」
    　　　第３５回表面科学学術講演会　2015年12月1日（つくば）
    　　　　松山治薫、市川諒英、赤石暁、中村淳
  • 「男女共同参画委員会活動報告」
    　　　第１３回男女共同参画学協会連絡会シンポジウム　2015年10月17日（千葉）
    　　　　小川賀代、近藤高志、沈青、中村淳
  • 「グラフェン表面の水の層構造」15p-2T-13
    　　　第７６回応用物理学会秋季学術講演会　2015年9月15日（名古屋）
    　　　　赤石暁、中村淳
  • 「酸素還元反応における窒素ドープグラフェンの触媒性」15p-2T-8
    　　　第７６回応用物理学会秋季学術講演会　2015年9月15日（名古屋）
    　　　　松山治薫、市川諒英、赤石暁、中村淳
  • 「窒素ドープジグザググラフェンナノリボンの磁性」15p-2T-7
    　　　第７６回応用物理学会秋季学術講演会　2015年9月15日（名古屋）
    　　　　内田優希、赤石暁、中村淳
  • 「GaAs(001)表面上でのMn吸着サイト」13p-2W-14
    　　　第７６回応用物理学会秋季学術講演会　2015年9月13日（名古屋）
    　　　　大竹晃浩、萩原敦、船附顕汰、中村淳
  • 「窒素ドープグラフェン上の酸素還元反応」11p-D8-3
    　　　第６２回応用物理学会春季学術講演会　2015年3月11日（平塚）
    　　　　市川諒英、赤石暁、中村淳

  (4) 著書

  • 徳本洋志・斉木幸一朗編「グラフェンの機能と応用展望《普及版》」（シーエムシー出版）（2015年9月）
    （中村淳「第４章：酸化グラフェンとコンポジット材料の電子状態」を執筆）
    ISBN 978-4-7813-1030-5

   

  -2014

  (1) Original Papers

  • Self-assembled growth of Ga droplets on GaAs(001): Role of surface reconstruction
    A.Ohtake, T.Mano, A.Hagiwara, and J.Nakamura
    Crystal Growth & Design 14, 3110-3115 (2014). (IF=4.891)
  • Origin of symmetric STM images for the asymmetric atomic configuration on GaAs(001)-c(4×4)α surfaces
    S.Kaku, J.Nakamura, K.Yagyu, and J.Yoshino
    Surface Science 625, 84-89 (2014). (IF=1.925)
  • Giant Seebeck coefficient of the graphene/h-BN superlattices
    Y.Yokomizo and J.Nakamura
    Applied Physics Letters 103, 113901 (1-4) (2013). (IF=3.302)
  • Ballistic phonon thermal conductance in graphene nano-ribbons
    H.Tomita and J.Nakamura
    Journal of Vacuum Science and Technology B 31, 04D104 (1-7) (2013). (IF=1.464)
  • Controlled incorporation of Mn in GaAs: Role of surface reconstructions
    A.Ohtake, A.Hagiwara, and J.Nakamura
    Physical Review B 87, 165301 (1-5) (2013). (IF=3.736)
  • Magnetic properties of a single molecular layer of MnAs on GaAs(110)
    M.Hirayama, A.Natori, and J.Nakamura
    Physical Review B 87, 075428 (1-6) (2013). (IF=3.736)
  • First-principles calculations of the dielectric constant for the GeO2 films
    M.Tamura, J.Nakamura, and A.Natori
    Key Engineering Materials 470, 60-65 (2011).
  • D- centers in uniaxially stressed Si and in Si/SiO2 quantum wells
    T.Chiba, J.Nakamura, and A.Natori
    Physical Review B 82, 195201 (1-9) (2010).
  • Conductivity and dielectric constant of nanotube/polymer composites
    Y.Hazama, N.Ainoya, J.Nakamura, and A.Natori
    Physical Review B 82, 045204 (1-8) (2010).
    also appear in Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology 22, Issue 5 (2010).
  • Structural and electronic properties of carbon nano-cylinder consisting of nanoribbon-walls with arrayed-oxygen hinges
    Y.Fujii, A.Natori, and J.Nakamura
    Journal of Vacuum Science and Technology B 28, C5C8 (1-4) (2010).
    also appear in Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology 22, Issue 5 (2010).
  • The anisotropy of ac conductivity and dielectric constant of anisotropic conductor–insulator composites
    Y.Hazama, J.Nakamura, and A.Natori
    Journal of Materials Science 45, 2843-2851 (2010).
  • Variable stoichiometry in Sb-induced (2×4) reconstructions on GaAs(001)
    A.Ohtake, M.Hirayama, J.Nakamura, and A.Natori
    Physical Review B 80, 235329 (1-9) (2009).
  • Control mechanism of friction by dynamic actuation of nanometer-sized contacts
    H.Iizuka, J.Nakamura, and A.Natori
    Physical Review B 80, 155449 (1-8) (2009).
    also appear in Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology 20, Issue 19 (2009).
  • Ballistic thermal conductance of electrons in graphene ribbons
    E.Watanabe, S.Yamaguchi, J.Nakamura, and A.Natori
    Physical Review B 80, 085404 (1-6) (2009).
    also appear in Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology 20, Issue 7 (2009).
  • Anisotropic half-metallic ground state of Mn atomic wire on GaAs(110)
    M.Hirayama, A.Natori, and J.Nakamura
    Journal of Vacuum Science and Technology B 27, 2062-2065 (2009).
    also appear in Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology 20, Issue 6 (2009).
  • In-plane strain effects on dielectric properties of the HfO2 thin film
    S.Wakui, J.Nakamura, and A.Natori
    Journal of Vacuum Science and Technology B 27, 2020-2023 (2009).
  • Structural and electronic properties of the planar C-skeleton polymers
    J.Nakamura, N.Arimura, M.Hirayama, and A.Natori
    Applied Physics Letters 94, 223107 (1-3) (2009).
  • Band-bending effects on scanning tunneling microscope images of subsurface dopants: First-principles calculations
    M.Hirayama, J.Nakamura, and A.Natori
    Journal of Applied Physics 105, 083720 (1-4) (2009).
  • Negative donors in bulk Si and Si/SiO2 quantum wells in a magnetic field
    J.Inoue, T.Chiba, A.Natori, and J.Nakamura
    Physical Review B 79, 305206 (1-8) (2009).
  • Size effects in friction of multiatomic sliding contacts
    M.Igarashi, A.Natori, and J.Nakamura
    Physical Review B 78, 165427 (1-10) (2008).
  • Atomic scale dielectric constant near the SiO2/Si(001) interface
    S.Wakui, J.Nakamura, and A.Natori
    J.Vac.Sci.Technol. B 26, 1579-1584 (2008).
  • Semiconducting nature of the oxygen-adsorbed graphene sheet
    J.Ito, J.Nakamura, and A.Natori
    Journal of Applied Physics 103, 113712-1 - 113712-5 (2008).
  • Structural bistability of the oxygen-adsorbed graphene sheet
    J.Nakamura, J.Ito, and A.Natori
    J.Phys.: Conf.Ser. 100, 052019 (1-4) (2008).
  • Negative donors in multivalley semiconductors: Diffusion quantum Monte Carlo simulations
    J.Inoue, J.Nakamura, and A.Natori
    Physical Review B 77, 125213-1 - 125213-5 (2008).
  • Ballistic thermal conductance of a graphene sheet
    K.Saito, J.Nakamura, and A.Natori
    Physical Review B 76, 115409-1 - 115409-4 (2007).
    also appear in
    Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology 16, Issue 13 (2007).
  • Nano-Scale Profile of the Dielectric Constant Near the Si/oxide Interface: A First-Principles Approach
    J.Nakamura, S.Wakui, S.Eguchi, R.Yanai, and A.Natori
    ECS Trans. 11, 173-182 (2007).
  • STM simulations for B- and P-doped Si(111) surfaces
    M.Hirayama, J.Nakamura, and A.Natori
    Japanese Journal of Applied Physcs 46, 5643-5646 (2007).
  • Mechanism of velocity saturation of atomic friction force and the dynamic superlubricity at torsional resonance
    M.Igarashi, J.Nakamura, and A.Natori
    Japanese Journal of Applied Physcs 46, 5591-5594 (2007).
  • Dielectric properties of the interface between Si and SiO2
    S.Wakui, J.Nakamura, and A.Natori
    Japanese Journal of Applied Physcs 46, 3261-3264 (2007).
  • ac conductivity and dielectric constant of conductor-insulator composites
    T.B.Murtanto, S.Natori, J.Nakamura, and A.Natori
    Physical Review B 74, 115206-1 - 115206-7 (2006).
  • Charge correlation and spin coupling in double quantum dots: a quantum diffusion Monte Carlo study
    H.Masu, T.Yamada, J.Nakamura, and A.Natori
    Physical Review B 74, 075312-1 - 075312-8 (2006).
  • Dielectric discontinuity at structural boundaries in Si
    J.Nakamura and A.Natori
    Applied Physics Letters 89, 053118-1 - 053118-3 (2006).
  • First-principles calculations of dielectric constants for ultrathin SiO2 films
    S.Wakui, J.Nakamura, and A.Natori
    Journal of Vacuum Science and Technology B 24, 1992-1996 (2006).
  • First-principles evaluations of dielectric constants for ultra-thin semiconducting films
    J.Nakamura and A.Natori
    Surface Science 600, 4332-4336 (2006).
  • Structural stabilities and electronic properties of planar Si compounds
    M.Hirayama, J.Nakamura, and A.Natori
    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 4, 528-533 (2006).
  • Dielectric properties of hydrogen-terminated Si(111) ultrathin films
    J.Nakamura, S.Ishihara, T.Shimizu, K.Natori, and A.Natori
    Journal of Applied Physics 99, 054309-1 - 054309-5 (2006).
  • Erratum: Double-slip mechanism in atomic-scale friction: Tomlinson model at finite temperatures
    J.Nakamura, S.Wakunami, and A.Natori
    Physical Review B 73, 169901-1 (2006).
  • Double-slip mechanism in atomic-scale friction: Tomlinson model at finite temperatures
    J.Nakamura, S.Wakunami, and A.Natori
    Physical Review B 72, 235415-1 - 235415-6 (2005).
    also appear in
    Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology 12, Issue 26 (2005).
    see also Erratum: Physical Review B 73, 169901 (2006).
  • Electronic and magnetic properties of BNC ribbons
    J.Nakamura, T.Nitta, and A.Natori
    Physical Review B 72, 205429-1 - 205429-5 (2005).
    also appear in
    Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology 12, Issue 23 (2005).
  • Dielectric properties of ultra-thin films; Microscopic points of view
    J.Nakamura and A.Natori
    Journal of the Surface Science Society of Japan, 26, 392-397 (2005). (in Japanese)
  • Structural stability of Si(001) and Ge(001) with external electric fields
    J.Nakamura and A.Natori
    Japanese Journal of Applied Physics 44, 5413-5416 (2005).
  • Energy barrier for dimer flipping at the Si(001)-(2x1) surface in external electric fields
    J.Nakamura and A.Natori
    Physical Review B 71, 113303-1 - 113303-4 (2005).
  • Ge/Si(113)-(2x2) surfaces: structural features induced by self-interstitial atoms
    Z.H.Zhang, K.Sumitomo, and J.Nakamura
    Wuli 33, 708-712 (2004). (in Chinese)
  • Kinetics in surface reconstructions on GaAs(001)
    A.Ohtake, P.Kocan, J.Nakamura, A.Natori, and N.Koguchi
    Physical Review Letters 92, 236105-1 - 236105-4 (2004).
  • Direct observation of Au deposition processes on the InSb{111}A,B-(2x2) surfaces
    S.P.Cho, J.Nakamura, N.Tanaka, and T.Osaka
    Nanotechnology 15, S371-S375 (2004).
  • First-principles study on the atomic and electronic structures of the Au/Si(111)-alpha(Sqrt3xSqrt3)R30 surface
    T.Kadohira, J.Nakamura, and S.Watanabe
    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 2, 146-150 (2004).
  • Atomic scale friction of nanoscale clusters
    K.Ohno, T.Nitta, J.Nakamura, and A.Natori
    Journal of Vacuum Science and Technology B 22, 2026-2029 (2004).
    also appear in
    Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology 10, Issue 9 (2004)
  • Ga-As dimer structure for the GaAs(001)-c(4x4) surface
    A.Ohtake, J.Nakamura, N.Koguchi, and A.Natori
    Surface Science 566-568, 58-62 (2004).
  • Band discontinuity at ultrathin SiO2/Si(001) interfaces
    M.Watarai, J.Nakamura, and A.Natori
    Physical Review B 69, 035312-1 - 035312-6 (2004).
  • Structural stability and anisotropic stress of the Ge /Si(113)-2 x 2 surface
    J.Nakamura, Z.Zhang, K.Sumitomo, H.Omi, T.Ogino, and A.Natori
    Journal of the Surface Science Society of Japan, 24,526-530 (2003). (in Japanese)
  • First principles calculations of band discontinuity at ultrathin SiO2/Si interfaces
    M.Watarai, J.Nakamura, and A.Natori
    Journal of the Surface Science Society of Japan, 24, 550-555 (2003). (in Japanese)
  • Structural stability of the Ge /Si(113)-2 x 2 surface
    J.Nakamura, Z.Zhang, K.Sumitomo, H.Omi, T.Ogino, and A.Natori
    Applied Surface Science 212/213, 724-729 (2003).
  • Dynamics of c(4x2) phase-transition in Si(100) surfaces
    A.Natori, M.Osanai, J.Nakamura, and H.Yasunaga
    Applied Surface Science 212/213, 705-710 (2003).
  • Alloying processes in the Au/InSb(111)A system
    S.P.Cho, N.Hara, N.Naruse, T.Kadohira, J.Nakamura, and T.Osaka
    Journal of the Surface Science Society of Japan, 24, 111-117 (2003). (in Japanese)
  • New structure model for the GaAs(001)-c(4x4) surface
    A.Ohtake, J.Nakamura, S.Tsukamoto, N.Koguchi, and A.Natori
    Physical Review Letters 89, 206102-1 - 206102-4 (2002).
  • Atomic structures of the Ge/Si(113)-(2x2) surface
    Z.Zhang, J.Nakamura, K.Sumitomo, H.Omi, T.Ogino, and A.Natori
    Physical Review Letters 88, 256101-1 - 256101-4 (2002)
    also appear in
    Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology 5, Issue 24 (2002)
  • STM images apparently corresponding to a stable structure:
    Considerable fluctuation of a phase boundary of the Si(111)Sqrt3xSqrt3-Ag surface
    Y.Nakamura, Y.Kondo, J.Nakamura, and S.Watanabe
    Physical Review Letters 87, 156102-1 - 156102-4 (2001)
  • Structural and cohesive properties of a C60 monolayer
    J.Nakamura, T.Nakayama, S.Watanabe, and M.Aono
    Physical Review Letters 87, 048301-1 - 048301-4 (2001)
    also appear in
    Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology 4, Issue 4 (2001)
  • Surface structures of GaAs{111}A,B-(2x2)
    A.Ohtake, J.Nakamura, T.Komura, T.Hanada, T.Yao, H.Kuramochi, and M.Ozeki
    Physical Review B 64, 045318-1 - 045318-8 (2001)
  • Anisotropic electronic structure of the Si(111)-(4x1)In surface
    J.Nakamura, S.Watanabe, and M. Aono
    Physical Review B 63, 193307-1 - 193307-4 (2001)
  • Wurtzite-zincblende polytypism in ZnSe on GaAs(111)
    A.Ohtake, J.Nakamura, M.Terauchi, F.Sato, M.Tanaka, K.Kimura, and T.Yao
    Physical Review B 63, 195325-1 - 195325-4 (2001)
  • Theoretical study on the structural phase transition of Si(111)-Sqrt3xSqrt3-Ag surface
    Y.Nakamura, Y.Kondo, J.Nakamura, and S.Watanabe
    Surface Science 493, 206-213 (2001)
  • Structural stability and electronic states of gold nanowires
    J.Nakamura, N.Kobayashi, S.Watanabe, and M.Aono
    Surface Science 482-485, 1266-1271 (2001)
  • Atomic and electronic structure of the Si(111)-Sqrt3xSqrt3-Ag surface re-examined by using first-principles calculations
    S.Watanabe, Y.Kondo, Y.Nakamura, and J.Nakamura
    Science and Technology of Advanced Materials 1, 167-172 (2000)
  • Study of Diffusion and Defects by Medium-Energy Coaxial Impact-Collision Ion Scattering Spectroscopy
    T.Kobayashi, C.F.McConville, J.Nakamura, G.Dorenbos, H.Sone, T.Katayama, and M.Aono
    Defect and Diffusion Forum, 183-185, 207-214 (2000)
  • Strain Relaxation in InAs/GaAs(111)A Heteroepitaxy
    A.Ohtake, M.Ozeki, and J.Nakamura
    Physical Review Letters 84, 4665-4668 (2000)
  • Photoinduced products in a C60 monolayer on Si(111)-Sqrt3xSqrt3-Ag: An STM study
    T.Nakayama, J.Onoe, K.Nakatsuji, J.Nakamura, K.Takeuchi, and M.Aono
    Surface Review and Letters 6, 1073-1078 (1999)
  • Chemical bonding features for faultily stacked interfaces of GaAs{111}
    J.Nakamura, T.Mishima, M.-H.Masui, M.Sawayanagi, S.-H.Cho, M.Nishizawa, T.Eguchi, and T.Osaka
    Journal of Vacuum Science and Technology B 16, 2426-2431 (1998)
  • Direct imaging of the evolving Au/InSb(111)B interface
    T.Mishima, J.Nakamura, K.Tsukada, M.Nishizawa, T.Eguchi, and T.Osaka
    Journal of Vacuum Science and Technology B 16, 2324-2327 (1998)
  • Structure of the InSb(111)A-(2Sqrt[3]x2Sqrt[3])-R30 surface and its dynamical formation processes
    M.Nishizawa, T.Eguchi, T.Misima, J.Nakamura, and T.Osaka
    Physical Review B 57, 6317-6320 (1998)
  • Structure and Electronic States of the Alpha-Sn(111)-(2x2) Surface
    T.Eguchi, J.Nakamura, and T.Osaka
    Journal of Physical Society of Japan 67, 381-384 (1998)
  • Reflection high-energy electron diffraction analysis of the InSb{111}A,B-(2x2) surfaces
    A.Ohtake and J.Nakamura
    Surface Science 396, 394-399 (1998)
  • Nucleation of Au on KCl(001)
    J.Nakamura, T.Kagawa, and T.Osaka
    Surface Science 389, 109-115 (1997)
  • s-character of MX4 (M=C, Si, Ge, X=F, Cl, Br, I) molecules
    J.Nakamura, H.Konogi, H.Sato, and T.Osaka
    Journal of Physical Society of Japan 66, 1656-1659 (1997)
  • Initial growth processes of Ag on polar and non-polar semiconductor substrates
    A.Ohtake, J.Nakamura, and T.Osaka
    Surface Science Letters 380, L437-L440 (1997)
  • Structural stability and its electronic origin of the GaAs(111)A-2x2 surface
    J.Nakamura, H.Nakajima, and T.Osaka
    Applied Surface Science 121/122, 249-252 (1997)
  • Geometry and lattice formation of surface layers of Sn growing on InSb{111}A,B
    A.Ohtake, J.Nakamura, T.Eguchi, and T.Osaka
    Physical Review B 54, 10358-10361 (1996)
  • Surfactant-induced bond strengthening in as-grown film surfaces
    J.Nakamura, H.Konogi, and T.Osaka
    Japanese Journal of Applied Physics 35, L441-L443 (1996)
  • Inhomogeneous charge transfer in an incommensurate system
    J.Nakamura, H.Konogi, and T.Osaka
    Physical Review B 51, 5433-5436 (1995)
  
  

  (2) Review papers and Proceedings
  
  		

  • ソリューションプラズマによる新規物質合成
    中村淳
    表面科学 35, 464 (2014)
  • Ballistic phonon thermal conductance in graphene nano-ribbon: First-principles calculations
    J.Nakamura and H.Tomita
    AIP Conf. Proc. 1566, 139-140 (2013).
  • 教育の質保証評価ツールとしてのカリキュラムマップ
    桑田正行、安藤芳晃、西一樹、中村淳、田中勝己
    電気通信大学紀要 25, 41-50 (2013)
  • カーボン系物質の熱伝導特性
    中村淳
    表面科学 33, 702 (2012)
  • 応用物理学会人材育成・男女共同参画委員会における若手問題への取り組み
    中村淳
    放射線 37, 77 (2011)
  • 酸化グラフェンの応用
    中村淳
    表面科学 32, 112 (2011)
  • 応用物理分野のアカデミック・ロードマップ「人材育成」
    山田明、中村淳、他
    応用物理 79, 744-746 (2010)
  • 酸化プロセスによるグラフェンナノリボンの作製
    中村淳
    表面科学 30, 357 (2009)
  • GaAs(110)表面上のGa置換Mn原子鎖のスピン状態と電子状態
    平山基、中村淳、名取晃子
    表面科学 30, 532-537 (2009)
  • 「学会における若手人材育成—ト応物があなたのキャリアデザインを応援します—」報告
    庄司一郎、石榑崇明、中村淳、小舘香椎子、岩本光正、河野明廣
    応用物理 78, 371 (2009)
  • 博士のキャリア相談会―トライアル開催の報告―
    中村淳、小舘香椎子
    応用物理 77, 1366 (2008)
  • 人材育成・男女共同参画委員会第９回ミーティング報告「博士『後』のキャリアを考える２」
    津村徳道、中村淳、庄司一郎、坂野井和代
    応用物理 77, 581 (2008)
  • Charge correlation and spin coupling in double quantum dots
    H.Masu, J.Nakamura, and A.Natori
    Proc. of the 28th International Conference on the Physics of Semiconductors, J.Menendez and C.G. van de Walle (Eds.) (AIP Proceedings), 893, 775-776 (2007).
  • Dielectric discontinuity at a twin boundary in Si(111)
    J.Nakamura and A.Natori
    Proc. of the 28th International Conference on the Physics of Semiconductors, J.Menendez and C.G. van de Walle (Eds.) (AIP Proceedings), 893, 5-6 (2007).
  • 人材育成・男女共同参画委員会第８回ミーティング報告「博士『後』のキャリアを考える」
    坂野井和代、中村淳、庄司一郎、近藤高志
    応用物理 75, 1501-1502 (2006)
  • First-principles evaluations of dielectric properties from nano-scale points of view
    J.Nakamura, Sadakazu Wakui, and A.Natori
    Proc. of 8th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology (ICSICT-8) (IEEE-Press) , 06EX1294, 1407-1410 (2006).
  • 若手・女性研究者の研究環境
    中村淳、伊賀健一
    学術の動向 10, 33-36 (2005)
  • Dielectric properties of ultra-thin films
    J.Nakamura, S.Ishihara, H.Ozawa, and A.Natori
    Proc. of the 27th International Conference on the Physics of Semiconductors, J.Menendez and C.G. van de Walle (Eds.) (AIP Proceedings), pp.951-952 (2005).
  • Energy barrier for dimer flipping at the Si(001)-2x1 surface in external electrostatic fields
    J.Nakamura and A.Natori
    Proc. of the 27th International Conference on the Physics of Semiconductors, J.Menendez and C.G. van de Walle (Eds.) (AIP Proceedings), pp.371-372 (2005).
  • 若手からの提言「多様化するライフスタイルとキャリアプラン」
    中村淳、青木画奈
    応用物理 73, 1578-1579 (2004)
  • In-situ observation of Au deposition processes on the InSb{111}A,B-(2x2) surfaces by HR-profile TEM
    S.P.Cho, J.Nakamura, N.Tanaka, and T.Osaka
    Proc. of International Symposium on the Creation of Novel Nanomaterials (ISCNN'04), 78-79 (2004).
  • 男女共同参画第５回ミーティング「若手技術者・研究者の多様なキャリアパス」を通して
    高井まどか、川原田洋、中村淳、青木画奈
    応用物理 73, 250-252 (2004)
  • 男女共同参画学協会連絡会１周年記念行事　分科会「任期付きポストに関して」報告
    近藤高志、高井まどか、中村淳、青木画奈、辻佳子
    応用物理 73, 123 (2004)
  • Structural stability of the Ge/Si(113)-2x2 surface
    J.Nakamura, A.Natori, Z.Zhang, K.Sumitomo, H.Omi, and T.Ogino
    Proc. of the Sixth Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics
    14, 51-54 (2002)
  • Structural and electronic properties of two-dimensional C60
    J.Nakamura, T.Nakayama, S.Watanabe, and M.Aono
    Trans.Mat.Res.Soc.Jpn. 26, 1167-1170 (2001)
  • Electronic states and structural stability of gold nanowires
    J.Nakamura, N.Kobayashi, and M.Aono
    RIKEN Review 37, 17-20 (2001)
  • Structural ordering on Si(111)Sqrt3xSqrt3-Ag surface: Monte Carlo simulation based on first-principles calculations
    Y.Nakamura, Y.Kondo, J.Nakamura, and S.Watanabe
    Proc of the 25th International Conference on the Physics of Semiconductors, N. Miura and T. Ando (Eds.) (Osaka, Japan, September 17-22, 2000) (Springer-Verlag, Berlin Heidelberg, 2001), pp. 295-296.
  • Structure and electronic states for a single strand of gold atoms
    J.Nakamura and M.Aono
    RIKEN Review 25, 34-36 (1998)
  • Surfactant induced bond strengthening in as-grown film surfaces
    J.Nakamura, H.Konogi, and T.Osaka
    Bulletin of the Centre for Informatics, Waseda University 21, 12-20 (1997)
  • The initial adsorption processes of Au on the terrace and step of a KCl(001) surface
    J.Nakamura, T.Kagawa, H.Hayashi, and T.Osaka
    Bulletin of the Centre for Informatics, Waseda University 19, 33-40 (1996)
  • Charge Transfer Mechanism in the Incommensurately Grown Monolayer Graphite on the Si Terminated SiC(111) Surfaces
    J.Nakamura, H.Konogi, and T.Osaka
    Bulletin of the Centre for Informatics, Waseda University 19, 48-54 (1996)
  • Structural stability and its electronic origin of the GaAs(111)A-2x2 surface
    J.Nakamura, H.Nakajima, and T.Osaka
    Bulletin of the Society for Discrete Variational Xa, 9, 93-97 (1996)
  • Chemical bonding features of the GaAs{111} polar interface
    J.Nakamura and T.Osaka
    Bulletin of the Society for Discrete Variational Xa, 8, 224-228 (1995)
  • Effect of Sb on pseudomorphic growth of Ge on Si(111)
    J.Nakamura, H.Konogi, and T.Osaka
    Bulletin of the Society for Discrete Variational Xa, 7, 98-102 (1994)
  • Molecular dynamics simulations of the Initial Stages of Si on Si(001)-2x1
    K.Nakamura, J.Nakamura, T.Kagawa, and T.Osaka
    Bulletin of the Centre for Informatics, Waseda University 16, 17-25 (1994)
  • Charge transfer mechanism in the incommensurately grown monolayer graphite on the Si-terminated SiC(111) surface
    J.Nakamura, H.Konogi, and T.Osaka
    Bulletin of the Society for Discrete Variational Xa, 6, 127-130 (1993)
  • Charge transfer mechanism in the incommensurately grown monolayer graphite on the Si-terminated SiC(111) surface
    J.Nakamura, H.Konogi, and T.Osaka
    Bulletin of the Society for Discrete Variational Xa, 6, 127-130 (1993)

  
  

  (3) Books
  
  		

  • 応用物理分野の発展史マップ（応用物理学会　荒川泰彦編）（2010年3月）
    （分担執筆、p.211-p.225を担当）
    ISBN 978-4-86348-074-2
  • 応用物理分野のアカデミック・ロードマップ（改訂版）（応用物理学会　荒川泰彦編）（2010年3月）
    （分担執筆、p.221-p.230を担当）
    ISBN 978-4-86348-073-5
  • 徳本洋志・斉木幸一朗編「グラフェンの機能と応用展望」（シーエムシー出版）（2009年7月）
    （中村淳「第４章：酸化グラフェンとコンポジット材料の電子状態」を執筆）
    ISBN 978-4-7813-0146-4
  • 応用物理分野のアカデミック・ロードマップの作成報告書
    中村淳（分担執筆、「No.18人材育成」を共同執筆）
    （応用物理学会、2008年3月）
  • 学術会議叢書１２「男女共同参画はどこまで進んだか」
    伊賀健一、中村淳（分担執筆）
    （日本学術協力財団、2006年9月）
  • 新訂版・表面科学の基礎と応用
    中村淳（分担執筆）
    （エヌ・ティー・エス、2004年6月）

  
  

  (4) International conference
  
  		
  
  

  • Catalytic Reduction of Oxygen on Nitrogen-doped Graphene
    42nd Conference on the Physics & Chemistry of Surfaces & Interfaces (PCSI-42), Jan. 19, 2015 (Snowbird, Utah, USA)
    A.Ichikawa, A.Akaishi, and J.Nakamura
  • Anomalous Enhancement of Seebeck Coefficients for the Graphene/h-BN Superlattices
    Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings & Interfaces (pacsurf2014), Dec.11, 2014 (Hawaii USA)
    J.Nakamura and Y.Yokomizo
  • On the Wettability of Graphene
    Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings & Interfaces (pacsurf2014), Dec.11, 2014 (Hawaii USA)
    A.Akaishi, T.Yonemaru, and J.Nakamura
  • Reduction of Oxygen on Nitrogen-Doped Graphene
    Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings & Interfaces (pacsurf2014), Dec.8, 2014 (Hawaii USA)
    A.Ichikawa, A.Akaishi, and J.Nakamura
  • Universality of Seebeck Coefficients in Graphene/h-BN Nano-Composites
    Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings & Interfaces (pacsurf2014), Dec.8, 2014 (Hawaii USA)
    Y.Ayako, A.Akaishi, and J.Nakamura
  • Configurational Disorder of Mn-induced (2x2) Reconstruction on GaAs(001)
    18th International Conference on Molecular Beam Expitaxy (MBE2014), Sep.11, 2014 (Flagstaff, USA)
    A.Hagiwara, A.Ohtake, and J.Nakamura
  • Adsorption of molecular oxygen on nitrogen-doped graphene
    Graphene Week 2014, Jun.23, 2014 (Gothenburg, Sweden)
    A.Ichikawa, A.Akaishi, and J.Nakamura
  • Recent development of droplet epitaxy in NIMS: InAs QDs on InP(111)A for telecom-application and reconstruction-dependent Ga droplet formation on GaAs (100) (INVITED TALK)
    2nd Workshop Droplet Epitaxy of Semiconductor Nanostructures, May 16, 2014 (Florence, Italy)
    T.Mano, A.Ohtake, T.Kuroda, H.Neul, X.Liu, K.Mitsuishi, A.Hagiwara, J.Nakamura, A.Castellano, S.Sanguinetti, T.Noda, Y. Sakuma, and K.Sakoda
  • Anomalous enhancement of Seebeck coefficients for the graphene/h-BN superlattices (INVITED TALK)
    2nd International Workshop on Solution Pasma and Molecular Technologies (SPM-2), May 16, 2014 (Seoul, Korea)
    J.Nakamura and Y. Yokomizo
  • Structural stability of B-, N-doped zigzag graphene nanoribbons
    2nd International Workshop on Solution Pasma and Molecular Technologies (SPM-2), May 15, 2014 (Seoul, Korea)
    Y. Uchida, A. Akaishi, and J.Nakamura
  • Seebeck coefficients of graphene/h-BN nano-composites
    2nd International Workshop on Solution Pasma and Molecular Technologies (SPM-2), May 15, 2014 (Seoul, Korea)
    Y. Ayako, A. Akaishi, and J.Nakamura
  • Graphite is hydrophobic, or not?
    2nd International Workshop on Solution Pasma and Molecular Technologies (SPM-2), May 15, 2014 (Seoul, Korea)
    T. Yonemaru, A. Akaishi, and J.Nakamura
  • Adsorption profiles of oxygen molecule on nitrogen-doped graphne
    2nd International Workshop on Solution Pasma and Molecular Technologies (SPM-2), May 15, 2014 (Seoul, Korea)
    A. Ichikawa, A. Akaishi, and J.Nakamura
  • Giant Seebeck Coefficients of the Graphene/h-BN Superlattices
    41st Conference on the Physics & Chemistry of Surfaces & Interfaces (PCSI-41), Jan. 13, 2014 (Santa Fe, USA)
    Y.Yokomizo and J.Nakamura
  • Structural stability and electronic structure of boron- or nitrogen-doped graphene
    American Vacuum Society 60th International Symposium & Exhibition (AVS-60), Oct. 31, 2013 (Long Beach, USA)
    T.Umeki and J.Nakamura
  • Giant Seebeck coefficients of graphene/BN superlattices
    The 7th International Conference on the Fundamental Science of Graphene and Applications of Graphene-Based Devices (Graphene Week 2013), June 3, 2013 (Chemnitz, Germany)
    Y.Yokomizo and J.Nakamura
  • Ferromagnetic coupling between Mn atoms on the GaAs(110) surface
    The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS-2013), May 20, 2013 (Kobe Japan)
    M.Hirayama, J.Nakamura, and S.Tsukamoto
  • First-principles approach to the ballistic phonon thermal transport in graphene nano-ribbons (INVITED TALK)
    1st International Workshop on Solution Plasma and Molecular Technologies (SPM-1), Mar. 8, 2013 (Tokyo, Japan)
    J.Nakamura and H.Tomita
  • Giant Seebeck effect of graphene/BN superlattices
    1st International Workshop on Solution Plasma and Molecular Technologies (SPM-1), Mar. 7, 2013 (Tokyo, Japan)
    Y.Yokomizo and J.Nakamura
  • First-pinciples study on the structural stability of boron- and nitrogen-doped graphene
    1st International Workshop on Solution Plasma and Molecular Technologies (SPM-1), Mar. 7, 2013 (Tokyo, Japan)
    T.Umeki and J.Nakamura
  • Effects of surface geometry on the wettability of water on graphene
    1st International Workshop on Solution Plasma and Molecular Technologies (SPM-1), Mar. 7, 2013 (Tokyo, Japan)
    H.Yonemaru, H.Shimizu, and J.Nakamura
  • Effects of surface geometry on the wettability of water on graphene
    40th Conference on the Physics & Chemistry of Surfaces & Interfaces (PCSI-40), Jan. 23, 2013 (Waikoloa, USA)
    H.Yonemaru, H.Shimizu, and J.Nakamura
  • Incorporation of Cr or Mn at the GaAs(001)-c(4x4)a surface
    40th Conference on the Physics & Chemistry of Surfaces & Interfaces (PCSI-40), Jan. 21, 2013 (Waikoloa, USA)
    K.Okukita, A.Hagiwara, A.Ohtake, and J.Nakamura
  • Ballistic phonon thermal conductance in graphene nano-ribbon
    40th Conference on the Physics & Chemistry of Surfaces & Interfaces (PCSI-40), Jan. 20, 2013 (Waikoloa, USA)
    H.Tomita and J.Nakamura
  • Atomic Arrangements and structural stability of the Mn adsorbed GaAs(001) surfaces
    American Vacuum Society 59th International Symposium & Exhibition (AVS-59), Oct. 30, 2012 (Tampa, USA)
    A.Hagiwara, A.Ohtake, Y.Kanno, S.Yasumura, and J.Nakamura
  • Structural stability and electronic states of Cr or Mn on GaAs(001)-c(4x4)
    The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2012), Sep. 27, 2012 (Nara, Japan)
    K.Okukita and J.Nakamura
  • Ballistic phonon thermal conductancein Graphene Nano-Ribbon: First-principles calculations
    31st International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS 2012), July 31, 2012 (Zurich, Switzerland)
    J.Nakamura and H.Tomita
  • Optical characteristics of novel two-dimensional carbon materials; A possibility of ultra-transparent materials
    International Conference of New Science Created by Materials with Nano Spaces: from Fundamentals to Applications, Nov.25, 2011 (Tsukuba, Japan)
    H.Tomita and J.Nakamura
  • Optical characteristics of novel two-dimensional carbon materials; A possibility of ultra-transparent materials
    2011 MRS Fall Meeting and Exhibit (Materials Science Society), Dec.1, 2011 (Boston, USA)
    Y.Yokomizo and J.Nakamura
  • First-principles approach to ballistic phonon thermal conductivity in Graphene Nano-Ribbon
    2011 MRS Fall Meeting and Exhibit (Materials Science Society), Nov.30, 2011 (Boston, USA)
    H.Tomita and J.Nakamura
  • First-principles evaluation of the local dielectric properties of GeO2 ultrathin films (INVITED TALK)
    15th International Conference on Thin Films (ICTF-15), Nov.10, 2011 (Kyoto, Japan)
    J.Nakamura
  • Local profile of the dielectric constant near the oxygen vacancy in the GeO2 films
    AVS 58th International Symposium & Exhibition, Nov.1, 2011 (Nashville, USA)
    J.Nakamura and M.Tamura
  • Electronic and magnetic properties of chemically‐derived graphene nano-ribbon
    22nd European Conference on Diamond (Diamond 2011), Sep. 5, 2011 (Garmisch-Partenkirchen, Germany)
    Y.Fujii, H.Tomita, and J.Nakamura
  • Mn-induced surface reconstructions on GaAs(001)
    38th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS-2011), May 23, 2011 (Berlin, Germany)
    A.Ohtake, M.Hirayama, Y.Kanno, and J.Nakamura
  • Nano-materials design by first-principles calculations
    5th Japanese-French Frontiers of Science Symposium(JFFoS-5), Jan.23 2011 (Tokyo, Japan)
    J .Nakamura
  • Band and Dielectric Discontinuities of the Si1-xGe/Si1-yCy Superlattices
    American Vacuum Society 57th International Symposium & Exhibition (AVS-57), Oct.19 2010 (Albuquerque, USA)
    T.Ohsugi and J.Nakamura
  • Electronic and Magnetic Properties of Functionalized Graphene
    American Vacuum Society 57th International Symposium & Exhibition (AVS-57), Oct.19 2010 (Albuquerque, USA)
    Y.Fujii and J.Nakamura
  • Percolation properties of nanotube/polymer composites
    18th International Vacuum Congress (IVC-18), Aug.25 2010 (Beijing, China)
    N.Ainoya, J.Nakamura, and A.Natori
  • Local profile of dielectric constants near the oxygen vacancy in GeO2
    International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics (ISTESNE), Jun.4 2010 (Tokyo, Japan)
    M.Tamura, J.Nakamura, and A.Natori
  • Evaluation of the local dielectric constant near the oxygen vacancy for the defective HfO2 and SiO2 films
    The 37th International Symposium on Compound Semiconductors, Jun.1 2010 (Takamatsu, Japan)
    S.Wakui, J.Nakamura, and A.Natori
  • Magnetic coupling between Mn atoms on GaAs(110)
    The 37th International Symposium on Compound Semiconductors, Jun.1 2010 (Takamatsu, Japan)
    M.Hirayama, J.Nakamura, and A.Natori
  • Structural and electronic properties of “oxidized” carbon-nanocylinder
    The 37th International Symposium on Compound Semiconductors, Jun.1 2010 (Takamatsu, Japan)
    Y.Fujii, J.Nakamura, and A.Natori
  • Dielectric properties of GeO2 ultrathin films
    37th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces, Jan. 2010 (Santa Fe, NM, USA)
    M.Tamura, S.Wakui, J.Nakamura, and A.Natori
  • Structural and electronic properties of carbon nanocylinder consisting of nanoribbon-walls with arrayed-oxygen hinges
    37th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces, Jan. 2010 (Santa Fe, NM, USA)
    Y.Fujii, J.Nakamura, and A.Natori
  • ac conductivity and dielectric constant of nanotube polymer composites
    37th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces, Jan. 2010 (Santa Fe, NM, USA)
    Y.Hazama, N.Ainoya, J.Nakamura, and A.Natori
  • Structural and electronic properties of carbon nanotubes consisting of nanoribbon-walls with arrayed-oxygen hinges
    10th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-10), Sep. 2009 (Granada, Spain)
    J.Nakamura, Yuto Fujii, Motoi Hirayama, Shusuke Eguchi, Yuta Ogoshi, Jun Ito, and A.Natori
  • Inter-wire coupling of the Ga-substituted Mn atomic wire on GaAs(110) (INVITED POSTER)
    2nd International Workshop on Epitaxial growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano 2009), Aug. 2009 (Anan, Japan)
    M.Hirayama, J.Nakamura, A.Natori
  • Nano-scale profile of the dielectric constant near surfaces and interfaces: A first-principles approach (INVITED TALK)
    2nd International Workshop on Epitaxial growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano 2009), Aug. 2009 (Anan, Japan)
    J.Nakamura
  • Dielectric constant profiles of the thin-films: alpha- and beta-quartz phases of (Si or Ge) dioxides
    12th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-12), Jul. 2009 (Weimar, Germany)
    J.Nakamura, S.Wakui, M.Tamura, and A.Natori
  • Anisotropic half-metallic ground states of Mn atomic wires on GaAs(110)
    36th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces, Jan. 2009 (Santa Barbara, CA, USA)
    M.Hirayama, J.Nakamura, and A.Natori
  • In-plane strain effects on dielectric properties of the HfO2 thin film
    36th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces, Jan. 2009 (Santa Barbara, CA, USA)
    S.Wakui, J.Nakamura, and A.Natori
  • First-principles evaluation of the polytype-dependence of the local dielectric constant for SiC
    5th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology (ISSS-5), Nov. 2008 (Tokyo, Japan)
    K.Sato, Y.Iwasaki, S.Wakui, J.Nakamura, and A.Natori
  • Half-metallic ground states of Mn atomic wires on GaAs(110)
    5th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology (ISSS-5), Nov. 2008 (Tokyo, Japan)
    M.Hirayama, J.Nakamura, and A.Natori
  • Conductivity and dielectric constant of anisotropic CNT/polymer composites
    5th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology (ISSS-5), Nov. 2008 (Tokyo, Japan)
    Y.Hazama, J.Nakamura, and A.Natori
  • Dielectric properties of the ultra-thin La2O3(0001) film
    5th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology (ISSS-5), Nov. 2008 (Tokyo, Japan)
    R.Yanai, J.Nakamura, and A.Natori
  • Structural stability and cohesive properties of the oxygen-adsorbed graphene
    5th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology (ISSS-5), Nov. 2008 (Tokyo, Japan)
    S.Eguchi, J.Nakamura, and A.Natori
  • Activities of the Japan Society of Applied Physics (JSAP)
    The 3rd IUPAP International Conference on Women in Physics 2008, Oct. 2008 (Seoul, Korea)
    K.Ishikawa, M.N-.Gamo, K.Ishikawa, M.O.Watanabe, Y.Toyama, H.Iijima, K.Ito, J.Nakamura, and K.Kodate
  • Dielectric discontinuity at surfaces and interfaces: a first-principles approach
    International Conference on Nano Science and Technology (ICN+T 2008), Jul. 2008 (Colorad, USA)
    J.Nakamura, K-H.Sato, Y.Iwasaki, S.Wakui, and A.Natori
  • Polytype dependence of permittivity of SiC films
    14th International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-14), Jau. 2008 (Dublin, Ireland)
    J.Nakamura, K-H.Sato, Y.Iwasaki, S.Wakui, and A.Natori
  • Anomalous enhancement of the local dielectric constant near defects in SiO2
    14th International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-14), Jau. 2008 (Dublin, Ireland)
    M.Wakui, J.Nakamura, and A.Natori
  • First-principles calculations on STM images for subsurface dopants: tip-induced band-bending and dependence on dopant species
    14th International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-14), Jau. 2008 (Dublin, Ireland)
    M.Hirayama, J.Nakamura, and A.Natori
  • Atomic-scale friction of nanometer-sized contacts
    14th International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-14), Jau. 2008 (Dublin, Ireland)
    M.Igarashi, J.Nakamura, and A.Natori
  • Dielectric properties of the Interface between Si and SiO2
    35th Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces, Jan. 2008 (Santa Fe, NM, USA)
    S.Wakui, J.Nakamura, and A.Natori
  • Dielectric properties of the Interface between Si and SiO2
    5th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-5), Nov. 2007 (Hachioji, Japan)
    S.Wakui, J.Nakamura, and A.Natori
  • Nano-scale profile of the dielectric constant near the Si/Oxide interface: A first-principles approach (Invited Talk)
    212th Electrochemical society (ECS-212), Oct. 2007 (Washington DC, USA)
    J.Nakamura, S.Wakui, S.Eguchi, R.Yanai, and A.Natori
  • Structural bistability of the oxygen-adsorbed graphene sheet
    International Conference on Nano Science and Technology (ICN+T 2007), Sep. 2007 (Stockholm, Sweden)
    J.Nakamura, J.Ito, and A.Natori
  • First-principles calculations on STM images for subsurface dopants
    International Conference on Nano Science and Technology (ICN+T 2007), Sep. 2007 (Stockholm, Sweden)
    M.Hirayama, J.Nakamura and A.Natori
  • Mechanism of velocity saturation and lateral resonance in atomic-scale sliding friction
    International Conference on Nano Science and Technology (ICN+T 2007), Sep. 2007 (Stockholm, Sweden)
    M.Igarashi J.Nakamura and A.Natori
  • ac conductivity and dielectric constant of conductor-insulator composites
    6th International IEEE Conference on Polymers and Adhesives in Microelectronics and Photonics (Polytronic 2006), Jan.2007 (Tokyo, Japan)
    Y.Koyama, T.B.Murtanto, J.Nakamura, and A.Natori
  • Mechanism of velocity saturation of atomic friction force and the dynamic superlubricity
    at torsional resonance
    The 14th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM-14), Dec. 2006 (Atagawa, Japan)
    M.Igarashi, J.Nakamura and A.Natori
  • STM simulations for B- and P-doped Si(111) surfaces
    The 14th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM-14), Dec. 2006 (Atagawa, Japan)
    H.Hirayama, J.Nakamura and A.Natori
  • First-principles calculation of electrostatic property of the interface : Ultra-thin-Al/Si(111)
    2006 International Workshop on Dielectric thin films for future ULSI devices - Science and Technology (IWDTF2006), Nov. 2006 (Kawasaki, Japan)
    T.Shimizu, K.Natori, J.Nakamura, and A.Natori
  • Dielectric properties of the interface between Si and SiO2
    2006 International Workshop on Dielectric thin films for future ULSI devices - Science and Technology (IWDTF2006), Nov. 2006 (Kawasaki, Japan)
    S.Wakui, J.Nakamura, and A.Natori
  • First-principles evaluations of dielectric properties from nano-scale points of view (Invited)
    8th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology (ICSICT-8), Oct. 2006 (Shanghai, R.P.China)
    J.Nakamura, S.Wakui, and A.Natori
  • Charge correlation and spin coupling in double quantum dots
    28th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS-28), July 2006 (Vienna, Austria)
    H.Masu, J.Nakamura, and A.Natori
  • Dielectric discontinuity at a twin boundary in Si(111)
    28th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS-28), July 2006 (Vienna, Austria)
    J.Nakamura and A.Natori
  • First-principles evaluations of dielectric constants (Invited)
    International Workshop on Nano CMOS, Jan. 2006 (Mishima, Japan)
    J.Nakamura, S.Wakui, and A.Natori
  • Dielectric discontinuity at a stacking fault in Si(111)
    33rd Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-33), Jan. 2006 (Cocoa Beach, Florida, USA)
    J.Nakamura and A.Natori
  • First-principles calculations of dielectric constants for ultrathin SiO2 films
    33rd Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-33), Jan. 2006 (Cocoa Beach, Florida, USA)
    S.Wakui, J.Nakamura, and A.Natori
  • Electronic and magnetic properties of BNC ribbons
    4-th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology (ISSS-4), Nov. 2005 (Omiya, Japan)
    T.Nitta, J.Nakamura, and A.Natori
  • Atomic scale mechanism of friction
    4-th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology (ISSS-4), Nov. 2005 (Omiya, Japan)
    S.Wakunami, J.Nakamura, and A.Natori
  • Dielectric properties for ultra-thin films of the polytypes of SiC
    4-th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology (ISSS-4), Nov. 2005 (Omiya, Japan)
    J.Nakamura and A.Natori
  • Controlling the spin coupling in double quantum dots
    4-th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology (ISSS-4), Nov. 2005 (Omiya, Japan)
    H.Masu, J.Nakamura, and A.Natori
  • Structural stabilities and electronic properties of planar Si compounds
    4-th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology (ISSS-4), Nov. 2005 (Omiya, Japan)
    M.Hirayama, J.Nakamura, and A.Natori
  • First-principles calculations on adsorption and diffusion of oxygen atoms on graphene sheets
    4-th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology (ISSS-4), Nov. 2005 (Omiya, Japan)
    J.Ito, J.Nakamura, and A.Natori
  • First-principles calculations of dielectric constants for ultrathin SiO2 films
    4-th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology (ISSS-4), Nov. 2005 (Omiya, Japan)
    S.Wakui, J.Nakamura, and A.Natori
  • First-principles evaluations of dielectric constants for ultra-thin semiconducting films
    23-rd European Conference on Surface Science (ECOSS-23), Sep. 2005 (Berlin, Germany)
    J.Nakamura and A.Natori
  • Friction mechanism in atomic-scale
    23-rd European Conference on Surface Science (ECOSS-23), Sep. 2005 (Berlin, Germany)
    S.Wakunami, J.Nakamura, and A.Natori
  • Ga- and As-Rich Limit of Surface Reconstruction on GaAs(001)
    23-rd European Conference on Surface Science (ECOSS-23), Sep. 2005 (Berlin, Germany)
    A.Ohtake, P.Kocan, K.Seino, W.G.Schmidt, J.Nakamura, A.Natori, and N.Koguchi
  • Spatial variation in dielectric constant at surfaces of hydrogen-terminated ultra-thin Si(111) films
    The 8th International Conference on the Structure of Surfaces (ICSOS-8), Jul. 2005 (Munich, Germany)
    J.Nakamura and A.Natori
  • Electronic and magnetic properties of BNC ribbons
    The 8th International Conference on the Structure of Surfaces (ICSOS-8), Jul. 2005 (Munich, Germany)
    T.Nitta, J.Nakamura, and A.Natori
  • Two types of surface atomic structures for As-rich GaAs(001)-c(4x4)
    The 8th International Conference on the Structure of Surfaces (ICSOS-8), Jul. 2005 (Munich, Germany)
    A.Ohtake, P.Kocan, J.Nakamura, A.Natori, and N.Koguchi
  • Friction in atomic scale
    13th International Conference on Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Related Techniques (STM05), Jul. 2005 (Sapporo, Japan)
    S.Wakunami, J.Nakamura, and A.Natori
  • Dielectric properties of ultra-thin SiC films
    The 32nd Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-32), Jan. 2005 (Bozeman, Montana, USA)
    J.Nakamura, H.Ozawa, and A.Natori
  • Structural stability for Si(001) and Ge(001) in external electric fields
    The 12th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM-12), Dec. 2005 (Atagawa, Japan)
    J.Nakamura and A.Natori
  • Energy barrier for dimer flipping at the Si(001)-2x1 surface in external electrostatic fields
    27th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS-27), Jul.-Aug. 2004 (Flagstaff, Arizona, USA)
    J.Nakamura and A.Natori
  • Dielectric properties of ultra-thin films
    27th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS-27), Jul.-Aug. 2004 (Flagstaff, Arizona, USA)
    J.Nakamura, S.Ishihara, H.Ozawa, and A.Natori
  • Atomic scale friction in magic size clusters
    IVC-16 (16th International Vacuum Congress), ICSS-12 (12th International Conference on Solid Surfaces), NANO-8 (8th International Conference on Nanometer-scale Science and Technology), Jun.-Jul. 2004 (Venice, Italy)
    K.Ohno, T.Nitta, J.Nakamura, and A.Natori
  • Energy barrier for dimer flipping at Si(001)-2x1 in external electric fields
    IVC-16 (16th International Vacuum Congress), ICSS-12 (12th International Conference on Solid Surfaces), NANO-8 (8th International Conference on Nanometer-scale Science and Technology), Jun.-Jul. 2004 (Venice, Italy)
    J.Nakamura and A.Natori
  • Dielectric properties of ultra-thin films
    IVC-16 (16th International Vacuum Congress), ICSS-12 (12th International Conference on Solid Surfaces), NANO-8 (8th International Conference on Nanometer-scale Science and Technology), Jun.-Jul. 2004 (Venice, Italy)
    J.Nakamura, S.Ishihara, H.Ozawa, and A.Natori
  • Energy barrier for dimer flipping at Si(001)-2x1 in external electric fields
    9th International Symposium on the Advanced Physical Fields (APF-9), Mar. 2004 (Tsukuba, Japan)
    J.Nakamura and A.Natori
  • In-situ observation of Au deposition processes on the InSb{111}A,B-(2x2) surfaces by HR-profile TEM
    International Symposium on the Creation of Novel Nanomaterials (ISCNN'04), Jan. 2004 (Osaka, Japan)
    S.P.Cho, J.Nakamura, N.Tanaka, and T.Osaka
  • Atomic scale friction of nano-clusters
    31st Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-31), Jan. 2004 (Kailua-Kona, Hawaii, USA)
    K. Ohno, T. Nitta, J.Nakamura, and A.Natori
  • First-principles calculations of band discontinuity at ultrathin SiO2/Si(001) interfaces
    31st Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-31), Jan. 2004 (Kailua-Kona, Hawaii, USA)
    J.Nakamura, M.Watarai, and A.Natori
  • Surface stress anisotropy of Ge/Si(113)-2x2
    31st Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-31), Jan. 2004 (Kailua-Kona, Hawaii, USA)
    J.Nakamura, Z.Zhang, K.Sumitomo, H.Omi, T.Ogino, and A.Natori
  • Energy barrier for dimer flipping at the Si(001)- and Ge(001)-2x1 surfaces in external electric fields
    The 11th International Colloquim on Scanning Probe Microscopy (ICSPM-11), Dec. 2003 (Atagawa, Japan)
    J.Nakamura and A.Natori
  • Structural stability and stress anisotropy of the Ge/Si(113)-2x2 surface
    7th Inernational Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-7), Nov. 2003 (Nara, Japan)
    J.Nakamura, Z.Zhang, K.Sumitomo, H.Omi, T.Ogino, and A.Natori
  • Dielectric properties of ultra-thin films
    7th Inernational Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-7), Nov. 2003 (Nara, Japan)
    S.Ishihara, J.Nakamura, and A.Natori
  • First-principles study of the atomic and electronic structures of the Au/Si(111)-Alpha(Sqrt3xSqrt3) surface
    7th Inernational Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-7), Nov. 2003 (Nara, Japan)
    T.Kadohira, J.Nakamura, and S.Watanabe
  • Direct observation of Au deposition processes on the InSb{111}A,B-(2x2) surfaces
    1st International Symposium on Active Nano-Characterization and Technology, Nov. 2003 (Tsukuba, Japan)
    S.P.Cho, J.Nakamura, N.Tanaka, and T.Osaka
  • Theoretical investigation of the honeycomb structure of the Au/Si(111)-Alpha(Sqrt3xSqrt3) surface using first-principles calculations
    International Workshop on Smart Interconnects (IWSI), Nov. 2003 (Atami, Japan)
    T.Kadohira, J.Nakamura, and S. Watanabe
  • Ga-As dimer structure for the GaAs(001)-c(4x4) surface
    22-nd European Conference on Surface Science (ECOSS-22), Sep. 2003 (Praha, Czech Republic)
    A.Ohtake, J.Nakamura, N.Koguchi, and A.Natori
  • Energy barrier at ultrathin SiO2/Si(001) interfaces
    22-nd European Conference on Surface Science (ECOSS-22), Sep. 2003 (Praha, Czech Republic)
    M.Watarai, J.Nakamura, and A.Natori
  • Structural stability and anisotropic stress of the Ge/Si(113)-2x2 surfaces
    22-nd European Conference on Surface Science (ECOSS-22), Sep. 2003 (Praha, Czech Republic)
    J.Nakamura, Z.Zhang, K.Sumitomo, H.Omi, T.Ogino, and A.Natori
  • First principles calculation of Si/SiO2 band offset
    Dr. Rohrer's JSPS Award Workshop III and ISSP international workshop --- a role of physics for nano science and technology ---, February 2003 (Kashiwa, Japan)
    M.Watarai, J.Nakamura, and A.Natori
  • Anisotropic surface stress of Ge/Si(113)-2x2
    Dr. Rohrer's JSPS Award Workshop III and ISSP international workshop --- a role of physics for nano science and technology ---, February 2003 (Kashiwa, Japan)
    J.Nakamura, Z.Zhang, K.Sumitomo, H.Omi, T.Ogino, and A.Natori
  • Structural stability of the InSb(111)B-(3x3) surface
    International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-11), July 2002 (Marseille, France)
    T.Kadohira, T.Miura, J.Nakamura, A.Natori, and T.Osaka
  • Structural stability of the Ge/Si(113)-2x2 surface
    International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-11), July 2002 (Marseille, France)
    J.Nakamura, Z.Zhang, K.Sumitomo, H.Omi, T.Ogino, and A.Natori
  • Dynamics of c(4x2) phase-transition in Si(001) surfaces
    International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-11), July 2002 (Marseille, France)
    M.Osanai, A.Natori, J.Nakamura, H.Yasunaga
  • Atomic structure of Ge/Si(113)-2x2 reconstruction
    The 9th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy and Asian SPM (4), Dec. 2001 (Atagawa, Japan)
    Z.Zhang, K.Sumitomo, J.Nakamura, H.Omi, A.Natori, and T.Ogino
  • STM images and fluctuation of surface atoms: A theoretical study on Si(111)Sqrt3xSqrt3-Ag surface
    The 8th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy and Asian SPM (3), Dec. 2000 (Atagawa, Japan)
    Y.Nakamura, Y.Kondo, J.Nakamura, and S.Watanabe
  • Long-range molecular ordering in a strained C60 monolayer
    The First International Symposium on Nanoarchitectonics Using Suprainteractions (NASI-1), Nov. 2000 (Tsukuba, Japan)
    T.Nakayama, J.Onoe, J.Nakamura, K.Takeuchi, and M.Aono
  • Structural and Electronic Properties of Two-dimensional C60
    The First International Symposium on Nanoarchitectonics Using Suprainteractions (NASI-1), Nov. 2000 (Tsukuba, Japan)
    J.Nakamura, T.Nakayama, S.Watanabe, and M.Aono
  • Interface structural analysis using medium-energy coaxial impact-collision ion scattering spectroscopy (Invited)
    16-th International Conference on the Application of Accelerators in Research and Industry, Nov. 2000 (Texas, USA)
    H.Sone, T.Kobayashi, G.Dorenbos, J.Nakamura, M.Aono, and C.F.McConville
  • Theoretical study on the structural phase transition of Si(111)Sqrt3xSqrt3-Ag surface
    The International Symposium on Surface and Interface: Properties of Different Symmetry Crossing (ISSI-PDSC 2000), Oct. 2000 (Nagoya, Japan)
    Y.Nakamura, Y.Kondo, J.Nakamura, S.Watanabe
  • Electronic structure of the Si(111)-(4x1)In surface
    The International Symposium on Surface and Interface: Properties of Different Symmetry Crossing (ISSI-PDSC 2000), Oct. 2000 (Nagoya, Japan)
    J.Nakamura, S.Watanabe, and M.Aono
  • Structural ordering on Si(111)Sqrt3xSqrt3-Ag surface: Monte Carlo simulation based on first-principles calculations
    25th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS-25), Sep. 2000 (Osaka, Japan)
    Y.Nakamura, Y.Kondo, J.Nakamura, and S.Watanabe
  • in-situ measurements of strain in the surface normal direction: InAs on GaAs(111)A
    19-th European Conference on Surface Science (ECOSS-19), Sep. 2000 (Madrid, Spain)
    A.Ohtake, J.Nakamura, M.Terauchi, F.Sato, M.Tanaka, and M.Ozeki
  • Structural stability and electronic states of gold nanowires
    19-th European Conference on Surface Science (ECOSS-19), Sep. 2000 (Madrid, Spain)
    J.Nakamura, N.Kobayashi, S.Watanabe, and M.Aono
  • Structural stability of the Si(111)-(Sqrt3xSqrt3)-Sn surface
    International Symposium on Surface Science for Micro- and Nano-Device Fabrication (ISSS-3), Nov. 1999 (Tokyo, Japan)
    T.Kado-hira, Y.Miura, J.Nakamura, M.Aono, and T.Osaka
  • Atomic and electronic structure of the Si(111)-Sqrt3xSqrt3-Ag surface:
    re-examined by using first-principles calculations
    International Symposium on Surface Science for Micro- and Nano-Device Fabrication (ISSS-3), Nov. 1999 (Tokyo, Japan)
    Y.Kondo, J.Nakamura, and S.Watanabe
  • Structure and electronic states for a double strand of Au atoms (Invited)
    24th Relativity Workshop: The Society for Discrete Variational Xa, Sep. 1999 (Kyoto)
    J.Nakamura
  • Photo-induced products in a C60 monolayer on Si(111)-Sqrt3xSqrt3-Ag: An STM study
    International Conference on the Structure of Surfaces (ICSOS-6), July 1999 ,
    (Vancouver, Canada)
    T.Nakayama, J.Onoe, K.Nakatsuji, J.Nakamura, K.Takeuchi, and M.Aono
  • Handling Adsorbed C60 on Surfaces by Irradiation of Photon
    RIKEN Conference on Molecular Design, Dec. 1998 (Zushi, Japan)
    T.Nakayama, J.Onoe, K.Nakatsuji, J.Nakamura, K.Takeuchi, and M.Aono
  • Chemical bonding features for faultily-stacked interfaces of GaAs{111}
    25th Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-25), Jan. 1998 (Salt Lake City, Utah, USA)
    J.Nakamura, M.Masui, M.Sawayanagi, S.-P.Cho, T.Mishima, M.Nishizawa,
    T.Eguchi, and T.Osaka
  • Structural stability and its electronic origin of the GaAs(111)A-2x2 surface
    International Symposium on Surface Nano-Control of Environmental Catalysts
    and Related Materials, Nov. 1996（Tokyo, Japan）
    J.Nakamura, H.Nakajima, and T.Osaka

  
  

  (5) Domestic conference
  
  		

  • 「熱電変換材料としてのナノカーボンのポテンシャル」（招待講演）
    　　　東京理科大学総合研究機構ナノカーボン研究部門ワークショップ　実験と理論の強調によるナノ空間・ナノ物質研究の最前線　2014年11月25日（東京）
    　　　　中村淳
  • 「グラフェンナノリボンのバリスティック熱伝導特性」（招待講演）
    　　　第１回ナノトライボロジーワークショップ　2014年9月（調布）
    　　　　中村淳
  • 「グラフェンエッジ近傍不純物の構造安定性と電子状態」
    　　　第７５回応用物理学会秋季学術講演会　2014年9月19日（札幌）
    　　　　内田優希、赤石暁、中村淳
  • 「グラフェン/h-BN複合ナノリボンのゼーベック係数」
    　　　第７５回応用物理学会秋季学術講演会　2014年9月18日（札幌）
    　　　　綾子陽介、赤石暁、中村淳
  • 「窒素ドープグラフェン上の酸素分子吸着」
    　　　第７５回応用物理学会秋季学術講演会　2014年9月18日（札幌）
    　　　　市川諒英、赤石暁、中村淳
  • 「窒素ドープグラフェンの構造安定性と電子状態」
    　　　第７５回応用物理学会秋季学術講演会　2014年9月18日（札幌）
    　　　　梅木暁図、赤石暁、中村淳
  • 「第一原理計算によるMn吸着GaAs(001)-(nx2)の構造安定性評価」
    　　　第７５回応用物理学会秋季学術講演会　2014年9月18日（札幌）
    　　　　萩原敦、大竹晃浩、中村淳
  • 「電気通信大学における「パスポートプログラム」の取り組みIII」
    　　　日本物理学会２０１４年秋季大会　2014年9月8日（春日井）
    　　　　赤石暁、阿部浩二、石田尚行、岡田佳子、奥野剛史、清水崇文、白川英樹、鈴木勝、高田亨、中村淳、中村仁、細見斉子、山北佳宏
  • 「グラフェンは疎水性か？」
    　　　第６１回応用物理学会春季学術講演会　2014年3月19日（相模原）
    　　　　米丸朋宏、中村淳
  • 「電気通信大学における「パスポートプログラム」の取り組みII」
    　　　日本物理学会２０１３年秋季大会　2013年9月28日（徳島）
    　　　　赤石暁、阿部浩二、石田尚行、岡田佳子、奥野剛史、白川英樹、鈴木勝、高田亨、中村淳、中村仁、細見斉子、山北佳宏
  • 「物理チャレンジ2013報告：III. 第２チャレンジ理論問題」
    　　　日本物理学会２０１３年秋季大会　2013年9月26日（徳島）
    　　　　荒船次郎、赤井久純、伊藤敏雄、川村清、佐貫平二、杉山忠男、鈴木亨、鈴木直、高須昌子、竹中達二、田中皓、田中忠芳、東辻浩夫、中村淳、羽田野彰、松澤通生、三間圀興、北原和夫、近藤泰洋
  • 「Mn吸着ＧaAs(001)表面の電子状態と構造安定性評価」
    　　　第７４回応用物理学会秋季学術講演会　2013年9月20日（京田辺）
    　　　　萩原敦、大竹晃浩、奥北和哉、中村淳
  • 「STM測定と第一原理計算によるGaAs-c(4×4)α,βの電子構造解析」
    　　　第６０回応用物理学会春季学術講演会　2013年3月29日（厚木）
    　　　　加来滋、中村淳、柳生数馬、吉野淳二
  • 「電気通信大学における「パスポートプログラム」の取り組み」
    　　　日本物理学会第６８回年次大会　2013年3月27日（東広島）
    　　　　赤石暁、阿部浩二、石田尚行、岡田佳子、奥野剛史、白川英樹、鈴木勝、高田亨、中村淳、中村仁、細見斉子、山北佳宏
  • 「Mn吸着GaAs(001)表面の原子配列」
    　　　第７３会応用物理学会学術講演会　2012年9月14日（松山）
    　　　　大竹晃浩、萩原敦、中村淳
  • 「Mn吸着(2x2)-GaAs(001)表面構造および電子状態」
    　　　日本物理学会第６７回年次大会　2012年3月26日（西宮）　2012年3月26日（西宮）
    　　　　菅野雄介、大竹晃浩、中村淳
  • 「GeO2酸素欠損近傍の原子レベル誘電特性：結晶構造依存性」
    　　　配列ナノ空間を利用した新物質科学-ユビキタス元素戦略-第９回特定領域研究会　2012年1月5日（仙台）
    　　　　中村淳
  • 「グラフェンナノリボンのバリスティック熱伝導特性」
    　　　第３１回表面科学学術講演会　2011年11月16日（東京）
    　　　　冨田洋樹、中村淳
  • 「IV-IV 族半導体超格子のナノスケール誘電特性」
    　　　第３１回表面科学学術講演会　2011年11月15日（東京）
    　　　　赤崎充洋、中村淳
  • 「GaAs(001)-(2x2)Mn表面の原子配列と電子状態評価」
    　　　日本物理学会２０１１年秋季大会　2011年9月（富山）
    　　　　菅野雄介、大竹晃浩、平山基、中村淳
  • 「Er2SiO5結晶・誘電率の第一原理計算」
    　　　第７２回応用物理学会学術講演会　2011年9月1日（山形）
    　　　　萩原敦、中村淳
  • 「アームチェアグラフェンナノリボンのバリスティック熱伝導特性」
    　　　第７２回応用物理学会学術講演会　2011年9月1日（山形）
    　　　　冨田洋樹、中村淳
  • 「GeO2酸素欠損近傍の原子レベル誘電特性：結晶構造依存性」
    　　　配列ナノ空間を利用した新物質科学-ユビキタス元素戦略-第４回若手研究会　2011年7月（仙台）
    　　　　田村雅大、中村淳
  • 「アームチェアグラフェンナノリボンのバリスティック熱伝導特性評価」
    　　　配列ナノ空間を利用した新物質科学-ユビキタス元素戦略-第４回若手研究会　2011年7月（仙台）
    　　　　冨田洋樹、中村淳
  • 「酸素欠損GeO2薄膜の原子レベル誘電特性」
    　　　第５８回応用物理学関係連合講演会　2011年3月（厚木）
    　　　　田村雅大 、赤崎充洋、 中村淳
  • 「カルボキシル基終端ジグザググラフェンナノリボンの磁性」
    　　　第５８回応用物理学関係連合講演会　2011年3月（厚木）
    　　　　藤井雄人 、冨田洋樹、 中村淳
  • 「学会における人材育成」（シンポジウム基調講演：キャリアデザインと学会活動—出会える人・テーマ・チャンス—）
    　　　第５８回応用物理学関係連合講演会　2011年3月（厚木）
    　　　　中村淳
  • 「酸素吸着多角柱型カーボンナノシリンダーの構造安定性と電子状態評価」
    　　　第３０回表面科学学術講演会　2010年10月（大阪）
    　　　　藤井雄人、中村淳
  • 「BN結晶多形ヘテロ構造の電子状態」
    　　　第３０回表面科学学術講演会　2010年10月（大阪）
    　　　　加藤豪、中村淳
  • 「カルボキシル基終端グラフェンナノリボンの磁性」
    　　　第３０回表面科学学術講演会　2010年10月（大阪）
    　　　　藤井雄人、中村淳
  • 「SiON/SiC界面の誘電率不連続性」
    　　　第３０回表面科学学術講演会　2010年10月（大阪）
    　　　　大杉拓也、中村淳
  • 「GeO2超薄膜およびGeO2/Ge界面の誘電特性：局所誘電特性に及ぼす欠陥の影響」
    　　　第３０回表面科学学術講演会　2010年10月（大阪）
    　　　　田村雅大、涌井貞一、中村淳
  • 「Sb安定化GaAs(001)-(2x5)表面の原子配列」
    　　　日本物理学会2010年秋季大会　2010年9月（大阪）
    　　　　大竹晃浩、平山基、中村淳
  • 「カルボキシル基終端ジグザググラフェンナノリボンの電子状態と磁性」
    　　　第７１回応用物理学会学術講演会　2010年9月（長崎）
    　　　　藤井雄人、中村淳
  • 「GeO2超薄膜およびGeO2/Ge界面のナノスケール誘電特性」
    　　　第７１回応用物理学会学術講演会　2010年9月（長崎）
    　　　　田村雅大、中村淳
  • 「「博士のキャリア相談会」で考えさせられたこと：若手は学会に何を望む？」（シンポジウム基調講演）
    　　　第７１回応用物理学会学術講演会　2010年9月（長崎）
    　　　　中村淳
  • 「SiC薄膜上におけるSiON超薄膜の誘電率」
    　　　第７１回応用物理学会学術講演会　2010年9月（長崎）
    　　　　大杉拓也、中村淳
  • 「学会における若手支援の取り組み」（シンポジウム基調講演）
    　　　「医学物理士が切り拓く最新放射線がん治療」第７１回応用物理学会学術講演会　2010年9月（長崎）
    　　　　中村淳
  • 「ホモマテリアルヘテロ界面の周期配列制御によるメタマテリアルの創製」
    　　　「配列ナノ空間を利用した新物質科学　ユビキタス元素戦略」第６回領域会議　2010年5月29日（名古屋）
    　　　　中村淳
  • 「BN結晶多形を利用したホモマテリアル・ヘテロ構造の電子状態」
    　　　「配列ナノ空間を利用した新物質科学　ユビキタス元素戦略」第６回領域会議　2010年5月29日（名古屋）
    　　　　加藤豪、中村淳
  • 「GaAs(110)表面上のMnAs単分子層膜の磁性」
    　　　日本物理学会第６５回年次大会　2010年3月（岡山）
    　　　　平山基、中村淳、名取晃子
  • 「HfO2・SiO2薄膜における酸素欠損近傍の局所誘電率評価」
    　　　日本物理学会第６５回年次大会　2010年3月（岡山）
    　　　　涌井貞一、中村淳、名取晃子
  • 「Si/SiO2量子井戸内D-イオン束縛エネルギーの井戸幅依存性：valley-orbit相互作用効果」
    　　　日本物理学会第６５回年次大会　2010年3月（岡山）
    　　　　千葉朋、中村淳、名取晃子
  • 「カーボンナノチューブ分散媒質の交流電気伝導特性」
    　　　第５７回応用物理学関係連合講演会　2010年3月（平塚）
    　　　　挾間裕一、相野谷直樹、中村淳、名取晃子
  • 「有限電界下の第一原理計算を用いたSiGe混晶の誘電率評価」
    　　　第５７回応用物理学関係連合講演会　2010年3月（平塚）
    　　　　佐藤耕平、大杉拓也、中村淳、名取晃子
  • 「第一原理計算によるEr2SiO5の結晶構造と電子状態評価」
    　　　第５７回応用物理学関係連合講演会　2010年3月（平塚）
    　　　　植田啓史、中村淳、名取晃子
  • 「Si(001)/La2O3(01-10)界面の第一原理的バンドオフセット評価」
    　　　第５７回応用物理学関係連合講演会　2010年3月（平塚）
    　　　　谷内良亮、中村淳、名取晃子
  • 「有限電界下の第一原理計算による局所誘電率評価の試み」（招待講演）
    　　　物質・材料研究機構第８７回QDRセミナー　2009年12月（つくば）
    　　　　中村淳
  • 「列状酸素吸着カーボンナノシリンダーの構造安定性」
    　　　第２９回表面科学学術講演会　2009年10月（江戸川）
    　　　　藤井雄人、平山基、中村淳、名取晃子
  • 「Ge酸化物超薄膜の誘電特性」
    　　　第２９回表面科学学術講演会　2009年10月（江戸川）
    　　　　田村雅大、涌井貞一、中村淳、名取晃子
  • 「バルクSi及びSi量子井戸内D-イオンのvalley-orbit分裂」
    　　　第７０回応用物理学会学術講演会　2009年9月（富山）
    　　　　千葉朋、中村淳、名取晃子
  • 「GaAs(110)表面上Ga置換Mn原子鎖の原子鎖間磁気相互作用」
    　　　第７０回応用物理学会学術講演会　2009年9月（富山）
    　　　　平山基、中村淳、名取晃子
  • 「HfO2薄膜の誘電特性：結晶構造依存性」
    　　　第７０回応用物理学会学術講演会　2009年9月（富山）
    　　　　涌井貞一、中村淳、名取晃子
  • 「第一原理計算によるSi(001)/La2O3(01-10)界面のバンドオフセット評価」
    　　　第７０回応用物理学会学術講演会　2009年9月（富山）
    　　　　谷内良亮、中村淳、名取晃子
  • 「列状酸素吸着CNTの構造安定性と電子物性評価」
    　　　第７０回応用物理学会学術講演会　2009年9月（富山）
    　　　　藤井雄人、平山基、中村淳、名取晃子
  • 「CNT分散媒質の異方的交流電気伝導特性」
    　　　第７０回応用物理学会学術講演会　2009年9月（富山）
    　　　　挾間裕一、中村淳、名取晃子
  • 「歪みHfO2薄膜の誘電特性」
    　　　第５６回応用物理学関係連合講演会　2009年3月（つくば）
    　　　　涌井貞一、中村淳、名取晃子
  • 「GaAs(110)表面上のGa置換Mn原子ワイヤの原子配置とスピン・電子状態」
    　　　第５６回応用物理学関係連合講演会　2009年3月（つくば）
    　　　　平山基、中村淳、名取晃子
  • 「HfO2/La2O3超薄膜の誘電特性」
    　　　シリコンナノエレクトロニクスの新展開-ポストスケーリングテクノロジー第３回成果報告会　2009年1月（東京）
    　　　　涌井貞一、谷内良亮、中村淳 、名取晃子
  • 「GaAs(110)表面上のGa置換Mn原子鎖のスピン状態と電子状態」
    　　　The 13th Symposium on the Physics and Application of Spin-Related Phenomena in Semiconductors (PASPS13)　2009年1月（仙台）
    　　　　平山基、中村淳、名取晃子
  • 「応用物理学会における人材育成と男女共同参画の取り組み」（招待講演）
    　　　東京工業大学理工系女性研究者プロモーションプログラム講演会　2009年1月（横浜）
    　　　　中村淳
  • 「La2O3(0001)超薄膜の誘電特性」
    　　　第２８回表面科学学術講演会　2008年11月（新宿）
    　　　　谷内良亮、涌井貞一、中村淳、名取晃子
  • 「Si(111)-(7×7)表面上の銀クラスター形成過程の計算機シミュレーション」
    　　　第２８回表面科学学術講演会　2008年11月（新宿）
    　　　　千葉朋、冷清水裕子、泉水一紘、須藤彰三、中村淳、名取晃子
  • 「酸素吸着グラフェンの積層構造の構造安定性と凝集性質」
    　　　第２８回表面科学学術講演会　2008年11月（新宿）
    　　　　江口俊輔、中村淳、名取晃子
  • 「カーボンナノチューブ分散媒質の異方的電気伝導特性」
    　　　第２８回表面科学学術講演会　2008年11月（新宿）
    　　　　挾間裕一、中村淳、名取晃子
  • 「HfO2超薄膜の誘電特性」
    　　　第２８回表面科学学術講演会　2008年11月（新宿）
    　　　　涌井貞一、中村淳、名取晃子
  • 「GaAs(110)表面上のGa置換Mn原子鎖のスピン状態と電子状態」
    　　　第２８回表面科学学術講演会　2008年11月（新宿）
    　　　　平山基、中村淳、名取晃子
  • 「最先端表面研究が切り拓くナノエレクトロニクスのブレークスルー原子レベルから環境にやさしく」
    　　　第２８回表面科学学術講演会　2008年11月（新宿）
    　　　　中村淳
  • 「GaAs(001)-(2x4)-Sb吸着構造の再検討」
    　　　日本物理学会２００８年秋季大会　2008年9月（盛岡）
    　　　　大竹晃浩、平山基、中村淳、名取晃子
  • 「酸化グラフェン積層物質の構造安定性」
    　　　日本物理学会２００８年秋季大会　2008年9月（盛岡）
    　　　　江口俊輔、中村淳、名取晃子
  • 「グラフェンリボンのバリスティック熱コンダクタンス」
    　　　日本物理学会２００８年秋季大会　2008年9月（盛岡）
    　　　　山口翔、中村淳、名取晃子
  • 「異方的な超微粒子分散媒質の高周波電気伝導特性」
    　　　日本物理学会２００８年秋季大会　2008年9月（盛岡）
    　　　　挾間裕一、中村淳、名取晃子
  • 「GaAs(110)表面上のGa置換Mnナノワイヤの原子配置とスピン・電子状態」
    　　　日本物理学会２００８年秋季大会　2008年9月（盛岡）
    　　　　平山基、中村淳、名取晃子
  • 「Si(111)-(7x7)表面上の銀クラスター形成過程の計算機シミュレーション」
    　　　第６９回応用物理学会学術講演会　2008年9月（春日井）
    　　　　千葉朋、冷清水裕子、泉水一紘、須藤彰三、中村淳、名取晃子
  • 「学会における若手人材育成―応物があなたのキャリアデザインを応援します―」
    　　　第６９回応用物理学会学術講演会　2008年9月（春日井）
    　　　　庄司一郎、石榑崇明、中村淳、小舘香椎子
  • 「SiC結晶多形の誘電率：第一原理計算による積層構造依存性評価」
    　　　第６９回応用物理学会学術講演会　2008年9月（春日井）
    　　　　佐藤耕平、中村淳、名取晃子
  • 「GaAs(110)表面上のGa置換Mn原子ワイヤの原子配置とスピン・電子状態」
    　　　第６９回応用物理学会学術講演会　2008年9月（春日井）
    　　　　平山基、中村淳、名取晃子
  • 「HfO2超薄膜の局所誘電率プロファイル」
    　　　第６９回応用物理学会学術講演会　2008年9月（春日井）
    　　　　涌井貞一、中村淳、名取晃子
  • 「La2O3(0001)超薄膜の誘電特性」
    　　　第６９回応用物理学会学術講演会　2008年9月（春日井）
    　　　　谷内良亮、中村淳、名取晃子
  • 「GaAs(110)表面上のGa置換Mn原子鎖のスピン状態」
    　　　第４回量子ナノ材料セミナー　2008年7月（調布）
    　　　　平山基、中村淳、名取晃子
  • 「Si/酸化物界面近傍における誘電率の空間分布：第一原理計算による評価」（招待講演）
    　　　東京大学物性研究所客員所員講演会　2008年4月（柏）
    　　　　中村淳
  • 「（グラフェンの応用物性）グラフェンの酸化とコンポジット材料」（シンポジウム招待講演）
    　　　第５５回応用物理学関係連合講演会　2008年3月（船橋）
    　　　　中村淳、伊藤潤、尾越勇太、名取晃子
  • 「SiO2薄膜中の欠陥近傍における局所誘電率の異常増大」
    　　　第５５回応用物理学関係連合講演会　2008年3月（船橋）
    　　　　涌井貞一、中村淳、名取晃子
  • 「Si(111)水素終端表面近傍不純物のSTMシミュレーション：不純物種依存性と探針誘起バンドベンディング」
    　　　第５５回応用物理学関係連合講演会　2008年3月（船橋）
    　　　　平山基、中村淳、名取晃子
  • 「不純物ドープSi(111)表面のSTM像の第一原理計算II：STM像の不純物原子種依存性」
    　　　日本物理学会第６３回年次大会　2008年3月（東大阪）
    　　　　平山基、中村淳、名取晃子
  • 「ナノスケールの摩擦機構：ティップサイズ効果」
    　　　日本物理学会第６３回年次大会　2008年3月（東大阪）
    　　　　五十嵐正典、中村淳、名取晃子
  • 「SiO2/Si(001)界面におけるナノスケール誘電特性の第一原理計算」
    　　　日本物理学会第６３回年次大会　2008年3月（東大阪）
    　　　　涌井貞一、中村淳、名取晃子
  • 「多谷半導体中のD-基底状態：磁場効果」
    　　　日本物理学会第６３回年次大会　2008年3月（東大阪）
    　　　　井上純一、中村淳、名取晃子
  • 「欠陥のあるSiO2/Si(001)界面・SiO2超薄膜の局所誘電率評価」
    　　　シリコンナノエレクトロニクスの新展開-特定領域研究ポストスケール第２回成果報告会　2008年3月（秋葉原）
    　　　　涌井貞一、中村淳 、名取晃子
  • 「不純物ドープSi(111)表面の第一原理STMシミュレーション：探針誘起バンドベンディング効果と不純物種依存性」
    　　　第７回ドーパント計測研究会　2008年3月（つくば）
    　　　　平山基、中村淳、名取晃子
  • 「Si量子ドットの多電子基底状態」
    　　　第２７回表面科学講演大会　2007年11月（駒場）
    　　　　桝日向、中村淳、名取晃子
  • 「グラフェンのバリスティック熱伝導特性」
    　　　日本物理学会第６２回年次大会　2007年9月（札幌）
    　　　　斎藤浩一、中村淳、名取晃子
  • 「１次元Tomlinsonモデルを用いた原子レベル摩擦機構の解明」（シンポジウム招待講演）
    　　　豊田理化学研究所・特定課題研究「ナノトライボロジー」平成１９年度第一回研究会　2007年6月（調布）
    　　　　中村淳
  • 「不純物ドープSi(111)表面のSTM像の第一原理計算」
    　　　第５４回応用物理学関係連合講演会　2007年3月（相模原）
    　　　　平山基、中村淳 、名取晃子
  • 「SiO2/Si(001)界面のナノスケール誘電特性」
    　　　第５４回応用物理学関係連合講演会　2007年3月（相模原）
    　　　　涌井貞一、中村淳 、名取晃子
  • 「酸素吸着グラフェンの構造双安定性の第一原理計算」
    　　　日本物理学会２００７年春季大会　2007年3月（鹿児島）
    　　　　伊藤潤、中村淳 、名取晃子
  • 「不純物ドープSi(111)表面のSTM像の第一原理計算」
    　　　日本物理学会２００７年春季大会　2007年3月（鹿児島）
    　　　　平山基、中村淳 、名取晃子
  • 「第一原理計算によるSiO2/Si(001)界面のナノスケール誘電特性評価」
    　　　日本物理学会２００７年春季大会　2007年3月（鹿児島）
    　　　　涌井貞一、中村淳 、名取晃子
  • 「有限温度原子レベル摩擦機構〜１次元Tomlinsonモデルによる解析〜」（シンポジウム招待講演）
    　　　日本物理学会２００７年春季大会　2007年3月（鹿児島）
    　　　シンポジウム：ナノスコピック系の摩擦の物理：摩擦の素過程と制御
    　　　　中村淳
  • 「外部電場はSi(001)面の表面超構造を変化させるか？」（招待講演）
    　　　第１回NIMSナノ計測センターシンポジウム「半導体表面における構造と物性の新展開 - Si(001)とGe(001)表面を中心として -」　2007年2月（お茶の水）
    　　　　中村淳
  • 「SiO2/Si(001)界面のナノスケール誘電特性」
    　　　ゲートスタック研究会第１２回研究会　2007年2月（三島）
    　　　　涌井貞一、中村淳、名取晃子
  • 「B／PドープSi(111)表面のSTM像の第一原理シミュレーション」
    　　　第６回ドーパント計測研究会　2007年1月（つくば）
    　　　　平山基、中村淳、名取晃子
  • 「原子摩擦力の速度飽和機構」
    　　　日本物理学会２００６年秋期大会　2006年9月（千葉）
    　　　　五十嵐正典、中村淳、名取晃子
  • 「D-基底状態の拡散量子モンテカルロ計算：有効質量異方性および多谷効果」
    　　　日本物理学会２００６年秋期大会　2006年9月（千葉）
    　　　　井上純一、中村淳、名取晃子
  • 「第一原理計算に基づく絶縁超薄膜誘電率の理論的解析」（招待講演）
    　　　シンポジウム「Nano CMOS 今後１５年の展望とその技術課題」　2006年9月（新宿）
    　　　　中村淳、涌井貞一、名取晃子
  • 「原子摩擦力の速度飽和と共鳴減少」
    　　　第二回摩擦、トライボロジー、ダイナミクス若手夏の学校　2006年9月（調布）
    　　　　中村淳、名取晃子
  • 「Si(111)双晶境界近傍の局所的誘電率変化」
    　　　日本物理学会第６１回年次大会　2006年3月（松山）
    　　　　中村淳、名取晃子
  • 「縦型２重量子ドットのスピン結合と磁場制御」
    　　　日本物理学会第６１回年次大会　2006年3月（松山）
    　　　　桝日向、山田太一、中村淳、名取晃子
  • 「第一原理計算による極薄膜Al/Si界面の検討：界面水素終端の影響」
    　　　第５３回応用物理学関係連合講演会　2006年3月（世田谷）
    　　　　清水共、名取研二、中村淳、名取晃子
  • 「グラフェンシートの酸素吸着と拡散過程の第一原理計算」
    　　　日本物理学会２００５年秋期大会　2005年9月（京田辺）
    　　　　伊藤潤、中村淳、名取晃子
  • 「SiC多形超薄膜の誘電特性」
    　　　日本物理学会２００５年秋期大会　2005年9月（京田辺）
    　　　　中村淳、名取晃子
  • 「原子レベルの摩擦機構」
    　　　日本物理学会２００５年秋期大会　2005年9月（京田辺）
    　　　　涌波信弥、中村淳、名取晃子
  • 「SiO2超薄膜の誘電特性」
    　　　日本物理学会２００５年秋期大会　2005年9月（京田辺）
    　　　　涌井貞一、中村淳、名取晃子
  • 「第一原理計算を用いた誘電率評価方法の開発とその超薄膜への応用」
    　　　シンポジウム「来るべきナノCMOS時代に向けての挑戦とその課題」　2005年4月（新宿）
    　　　　中村淳、涌井貞一、名取晃子
  • 「第一原理計算による超薄膜Al/Si(001)界面の検討：Si面方位依存」
    　　　第５２回応用物理学関係連合講演会　2005年3月（さいたま）
    　　　　清水共、名取研二、中村淳、名取晃子
  • 「BNリボンの磁性II」
    　　　日本物理学会第６０回年次大会　2005年3月（野田）
    　　　　新田敏浩、中村淳、名取晃子
  • 「２次元シリコン化合物の原子構造と電子状態」
    　　　日本物理学会第６０回年次大会　2005年3月（野田）
    　　　　平山基、中村淳、名取晃子
  • 「半導体超薄膜の誘電特性」
    　　　第２４回表面科学講演大会　2004年11月（新宿）
    　　　　中村淳、名取晃子
  • 「BNCリボンの電子物性」
    　　　第２４回表面科学講演大会　2004年11月（新宿）
    　　　　新田敏浩、中村淳、名取晃子
  • 「Si(001)-2x1ダイマー表面におけるフリップフロップ運動の外部電場依存性」
    　　　日本物理学会２００４年秋期大会　2004年9月（青森）
    　　　　中村淳、名取晃子
  • 「As安定化GaAs(001)-c(4x4)表面における安定および準安定構造」
    　　　日本物理学会２００４年秋期大会　2004年9月（青森）
    　　　　大竹晃浩、Pavel Kocan、中村淳、名取晃子、小口信行
  • 「ヘテロ基板上原子クラスタのマジックサイズと摩擦」
    　　　日本物理学会２００４年秋期大会　2004年9月（青森）
    　　　　大野景太、新田敏浩、中村淳、名取晃子
  • 「BNリボンの磁性」
    　　　日本物理学会２００４年秋期大会　2004年9月（青森）
    　　　　新田敏浩、中村淳、名取晃子
  • 「超微粒子分散媒質の高周波電気伝導特性」
    　　　日本物理学会２００４年秋期大会　2004年9月（青森）
    　　　　名取諭史、中村淳、名取晃子
  • 「Si超薄膜の誘電特性II」
    　　　日本物理学会２００４年秋期大会　2004年9月（青森）
    　　　　中村淳、名取晃子
  • 「GaAs(001)-c(4x4)表面のAs分子種依存性」
    　　　第６５回応用物理学会学術講演会　2004年9月（仙台）
    　　　　大竹晃浩、Pavel Kocan、中村淳、名取晃子、小口信行
  • 「第一原理計算による超薄膜Al/Si(001)界面の検討」
    　　　第６５回応用物理学会学術講演会　2004年9月（仙台）
    　　　　清水共、名取研二、中村淳、名取晃子
  • 「SiC超薄膜の誘電特性 」
    　　　第６５回応用物理学会学術講演会　2004年9月（仙台）
    　　　　小澤日出樹、中村淳、名取晃子
  • 「マイクロ直線４端子法による表面電気伝導の異方性評価 」
    　　　第５１回応用物理学関係連合講演会　2004年3月（八王子）
    　　　　後藤富久、中村淳、名取晃子
  • 「RC回路網の高周波電気伝導特性 」
    　　　第５１回応用物理学関係連合講演会　2004年3月（八王子）
    　　　　名取諭史、中村淳、名取晃子
  • 「第一原理計算によるAu/Si(111)-alpha(Sqrt3xSqrt3)表面構造の研究 」
    　　　日本物理学会第５９回年次大会　2004年3月（福岡）
    　　　　門平卓也、中村淳、渡邉聡
  • 「Si超薄膜の誘電特性 」
    　　　日本物理学会第５９回年次大会　2004年3月（福岡）
    　　　　石原俊介、中村淳、名取晃子
  • 「２重量子ドットのスピン結合 」
    　　　日本物理学会第５９回年次大会　2004年3月（福岡）
    　　　　山田太一、中村淳、名取晃子
  • 「MEISとSTMによる表面応力・歪の異方性の観察 」（招待講演）
    　　　応用物理学会イオンビーム研究会　2003年12月（和光）
    　　　　住友弘二、Zhaohui Zhang、中村淳、尾身博雄、荻野俊郎、名取晃子
  • 「２重量子ドットのスピン結合制御の量子モンテカルロ計算 」
    　　　第２３回表面科学講演大会　2003年11月（新宿）
    　　　　山田太一、中村淳、名取晃子
  • 「Si超薄膜の誘電特性」
    　　　第２３回表面科学講演大会　2003年11月（新宿）
    　　　　石原俊介、中村淳、名取晃子
  • 「半導体超薄膜の誘電率の第一原理計算」
    　　　日本物理学会２００３年秋期大会　2003年９月（岡山）
    　　　　中村淳、石原俊介、清水共、名取研二、名取晃子
  • 「不整合へテロエピタキシャル島のナノトライボロジー」
    　　　日本物理学会２００３年秋期大会　2003年９月（岡山）
    　　　　新田敏浩、大野景太、中村淳、名取晃子
  • 「超薄膜の外部静電場応答特性の第一原理的評価」
    　　　日本物理学会２００３年秋期大会　2003年９月（岡山）
    　　　　中村淳、石原俊介、清水共、名取研二、名取晃子
  • 「Ge/Si(113)-2x2構造における表面応力異方性」
    　　　第６４回応用物理学会学術講演会　2003年9月（福岡）
    　　　　中村淳 、張朝暉、住友弘二、尾身博雄、荻野俊郎、名取晃子
  • 「第一原理計算による金属／半導体界面近傍の静電特性」
    　　　第６４回応用物理学会学術講演会　2003年8月（福岡）
    　　　　清水共、名取研二、中村淳、名取晃子
  • 「Au/Si(111)-alpha(Sqrt3xSqrt3)R30表面構造の理論研究」
    　　　表面低次元ナノ構造機能物質の創製と物性研究会　2003年7月（本郷）
    　　　　門平卓也、中村淳、渡邉聡
  • 「Ge/Si(113)-2x2表面の応力異方性」
    　　　日本物理学会第５８回年次大会　2003年3月（仙台）
    　　　　中村淳、名取晃子 、張朝暉、住友弘二、尾身博雄、荻野俊郎
  • 「2重量子ドットのスピン結合制御」
    　　　日本物理学会第５８回年次大会　2003年3月（仙台）
    　　　　瀬下裕也，中村淳，名取晃子
  • 「GaAs(001)-c(4x4)表面上におけるGa-As dimerの欠陥構造」
    　　　日本物理学会第５８回年次大会　2003年3月（仙台）
    　　　　大竹晃浩、中村淳、塚本史郎、小口信之、名取晃子
  • 「Si(113)上Ge成長初期過程における表面超構造と表面応力」
    　　　第５０回応用物理学関係連合講演会　2003年3月（横浜）
    　　　　住友弘二 、Zhaohui Zhang、Feng Lin、中村淳、尾身博雄 、名取晃子、荻野俊郎
  • 「Si/SiO2超格子のバンドオフセットの第一原理計算」
    　　　応用物理学会薄膜・表面分科会シリコンテクノロジー分科会共催
    　　　「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」 (第8回研究会）2003年1月（東伊豆）
    　　　　渡會雅敏、中村淳、名取晃子
  • 「Si/SiO2超格子のバンドオフセットの第一原理計算」
    　　　第２２回表面科学講演大会　2002年11月（新宿）
    　　　　渡會雅敏、中村淳、名取晃子
  • 「Ge/Si(113)-2x2表面の構造安定性と応力異方性」
    　　　第２２回表面科学講演大会　2002年11月（新宿）
    　　　　中村淳、名取晃子 、張朝暉、住友弘二、尾身博雄、荻野俊郎
  • 「As安定化GaAs(001)-c(4x4)表面に対する新たな構造モデル」
    　　　第６３回応用物理学会学術講演会　2002年9月（新潟）
    　　　　大竹晃浩、中村淳、塚本史郎、小口信之、名取晃子
  • 「SiO2超薄膜のトンネル特性」
    　　　日本物理学会２００２年秋期大会　2002年9月（春日井）
    　　　　渡会雅敏、中村淳、名取晃子
  • 「2重量子ドットの多粒子状態」
    　　　日本物理学会２００２年秋期大会　2002年9月（春日井）
    　　　　瀬下裕也、中村淳、名取晃子
  • 「GaAs(001)-c(4x4)表面に対する新たな構造モデルの提唱」
    　　　日本物理学会２００２年秋期大会　2002年9月（春日井）
    　　　　大竹晃浩、中村淳、塚本史郎、小口信之、名取晃子
  • 「不均一表面層の２端子間２次元電流分布」
    　　　日本物理学会第５７回年次大会　2002年3月（草津）
    　　　　名取晃子、伊藤哲朗、中村淳、安永均
  • 「Si(001)面のダイマーバックリングダイナミクス」
    　　　日本物理学会第５７回年次大会　2002年3月（草津）
    　　　　長内理尚、中村淳、安永均、名取晃子
  • 「Ge/Si(113)-2x2の再構成表面構造」
    　　　第４９回応用物理学関係連合講演会　2002年3月（平塚）
    　　　　住友弘二 、Zhaohui Zhang、中村淳、尾身博雄 、名取晃子、荻野俊郎
  • "Structural stability of the Ge/Si(113)-2x2 surface"
    　　　第５回成長表面・界面の動的挙動と原子スケールシミュレーション研究会　2002年3月（豊島区）
    　　　　J.Nakamura, A.Natori, Z.Zhang, K.Sumitomo, H.Omi, and T.Ogino
  • 「Ge/Si(113)-2x2表面の構造安定性」
    　　　日本物理学会２００１年秋期大会　2001年9月（徳島）
    　　　　中村淳、張朝暉 、住友弘二 、尾身博雄 、荻野俊郎 、名取晃子
  • 「Si(111)√3x√3-Ag表面の相転移とSTM像のシミュレーション」
    　　　日本物理学会第５６回年次大会　2001年3月（八王子）シンポジウム講演
    　　　　渡邉聡、中村美道、近藤優樹、中村淳
  • 「Structural and electronic properties of two-dimensional C60」
    　　　第１２回日本MRS学術シンポジウム　2000年12月（川崎）
    　　　　中村淳、中山知信、渡邉聡、青野正和
  • 「Si(111)√3x√3-Ag表面の構造秩序化：第一原理計算結果に基づくモンテカルロシミュレーション」
    　　　日本物理学会第５５回年次大会　2000年9月（新潟）
    　　　　中村美道、近藤優樹、中村淳、渡邉聡
  • 「ジグザグ金原子鎖の双安定性」
    　　　日本物理学会第５５回年次大会　2000年9月（新潟）
    　　　　中村淳、小林伸彦、渡邉聡、青野正和
  • 「中エネルギー同軸型直衝突イオン散乱分光法（ME-CAICISS）によるSi/Sb（δドープ）/Si構造の分析」
    　　　第２６回結晶成長討論会　2000年9月（鳥羽）
    　　　　曾根逸人、小林峰、中村淳、青野正和
  • 「InAs/GaAs(111)A系における歪緩和」
    　　　日本物理学会春の分科会　2000年3月（大阪）
    　　　　大竹晃浩、尾関雅志、中村淳
  • 「Si(001)-2x1Ag吸着表面の第一原理計算による評価」
    　　　日本物理学会秋の分科会　1999年9月（盛岡）
    　　　　中村淳、櫻井亮、渡邉聡、青野正和
  • 「Au 2原子列鎖の構造と電子状態」
    　　　日本物理学会秋の分科会　1999年9月（盛岡）
    　　　　中村淳、小林伸彦、渡邉聡、青野正和
  • 「Si(111)√3x√3-Ag表面上の光重合C60薄膜のSTMによる観察と加工」
    　　　日本物理学会秋の分科会　1999年9月（盛岡）
    　　　　中山知信、尾上順、田中啓文、中村淳、武内一夫、青野正和
  • 「第一原理擬ポテンシャル法によるSi(111)-(√3x√3)R30-Sn表面の評価」
    　　　日本物理学会秋の分科会　1999年9月（盛岡）
    　　　　門平卓也、三浦義弘、中村淳、青野正和、大坂敏明
  • 「C60単分子膜における光重合反応生成物のUHV-STM観察」
    　　　第１７回フラーレン総合シンポジウム　1999年8月（岐阜）
    　　　　中山知信、尾上順、中辻寛、中村淳、武内一夫、青野正和
  • 「C60単層膜中における光重合C60二量体および三量体の非対称電子密度分布---STM/STSによる検討」
    　　　日本物理学会第５４回年会　1999年3月（東広島）
    　　　　中山知信、尾上順、中辻寛、中村淳、武内一夫、青野正和
  • 「Si(001)表面上におけるAg吸着構造の第一原理計算による評価」
    　　　日本物理学会第５４回年会　1999年3月（東広島）
    　　　　中村淳、櫻井亮、渡邉聡、青野正和
  • 「C60単分子膜における局所的な光重合」
    　　　理研シンポジウム：第５回原子スケールサイエンジニアリング研究会　1999年1月（和光）
    　　　　中山知信、尾上順、中辻寛、中村淳、武内一夫、青野正和
  • 「単原子層h-BN/Ni(111)界面における化学結合状態」
    　　　日本物理学会秋の分科会　1997年10月（神戸）
    　　　　中村淳、中島博、大坂敏明
  • 「α-Sn(111)-(2x2)表面の構造と電子状態II」
    　　　日本物理学会秋の分科会　1997年10月（神戸）
    　　　　中村淳、江口豊明、大坂敏明
  • 「α-Sn(111)-(2x2)表面の構造と電子状態I」
    　　　日本物理学会秋の分科会　1997年10月（神戸）
    　　　　江口豊明、中村淳、大坂敏明
  • 「InSb(111)B-2x2表面の最適化構造とその電子状態」
    　　　日本物理学会第５２回年会　1997年3月（名古屋）
    　　　　中村淳、中澤秀司、大坂敏明
  • 「KCl(001)表面におけるAuの核形成」
    　　　日本金属学会秋季大会、1996年10月（札幌）
    　　　　中村淳、大坂敏明
  • 「RHEEDロッキングカーブを用いたSi(111)-√3x√3R30-Au表面の構造解析」
    　　　日本物理学会秋の分科会　1996年9月（山口）
    　　　　中川明仁、中村淳、大竹晃浩、大坂敏明
  • 「GaAs(111)A-2x2表面の電子状態と構造安定性」
    　　　日本物理学会秋の分科会　1996年9月（山口）
    　　　　中村淳、中島博、大坂敏明
  • 「GaAs(111)A-2x2表面の構造安定性とその電子論的起源」（依頼講演）
    　　　第９回DV-Xα研究協会、1996年8月（大阪）
    　　　　中村淳、大坂敏明
  • 「RHEED rocking curveを用いたInSb{111}A,B表面の構造解析」
    　　　日本物理学会秋の分科会　1995年9月（金沢）
    　　　　大竹晃浩、中村淳、大坂敏明
  • 「InSb(111)A-(2x2)表面上におけるα-Sn安定成長メカニズム」
    　　　第８回DV-Xα研究協会、1995年8月（福岡）
    　　　　中嶋尚之、中村淳、大坂敏明
  • 「GaAs{111}表面・界面の電子論的評価」
    　　　第８回DV-Xα研究協会、1995年8月（福岡）
    　　　　中村淳、大坂敏明
  • 「Ge/Si(111)-Sb系表面変性エピタキシー」
    　　　第１４回表面科学講演大会、1994年12月（東京）
    　　　　中村淳、此木秀和、大坂敏明
  • 「Si(111)上のGe擬形態層に及ぼすSbの効果」
    　　　日本物理学会秋の分科会、1994年9月（静岡）
    　　　　中村淳、此木秀和、大坂敏明
  • 「InSb(111)B表面上での酸素の解離吸着」
    　　　第７回DV-Xα研究協会、1994年8月（横浜）
    　　　　中澤秀司、中村淳、大坂敏明
  • 「NaCl(001)およびKCl(001)表面上でのAu原子の吸着サイト」
    　　　第７回DV-Xα研究協会、1994年8月（横浜）
    　　　　南貴博、中村淳、大坂敏明
  • 「Si(111)上のGe擬形態層に及ぼすSbの効果」
    　　　第７回DV-Xα研究協会、1994年8月（横浜）
    　　　　中村淳、此木秀和、大坂敏明
  • 「シリコンカーバイド表面上に析出した単原子層グラファイトの安定性」
    　　　表面技術協会第８９回講演大会、1994年3月（横浜）
    　　　　中村淳、此木秀和、大坂敏明
  • 「単原子層グラファイト／SiC(111)系不整合界面の安定化機構」
    　　　日本金属学会秋季大会、1993年10月（名古屋）
    　　　　中村淳、此木秀和、大坂敏明
  • 「単原子層グラファイト／SiC(111)系界面における電荷移動機構」
    　　　日本物理学会秋の分科会、1993年9月（岡山）
    　　　　中村淳、大坂敏明
  • 「単原子層グラファイト／SiC(111)A系界面の電子論的評価」
    　　　第６回DV-Xα研究協会、1993年7月（京都）
    　　　　中村淳、此木秀和、大坂敏明
  • 「CX4分子中の電荷移動に対する一考察」
    　　　第１２回表面科学講演大会、1992年12月（東京）
    　　　　佐藤宏、此木秀和、中村淳、大坂敏明
  • 「炭素内殻順位のシフトに及ぼす電荷移動の効果〜メタン系分子を中心として〜」
    　　　第５回DV-Xα研究協会、1992年7月（新宿）
    　　　　佐藤宏、中村淳、大坂敏明
  • 「四面体型CX4(X=F,Cl,Br,I)分子における正味の電荷移動」
    　　　第５回DV-Xα研究協会、1992年7月（新宿）
    　　　　此木秀和、中村淳、大坂敏明
  • 「GaAs結晶中の双晶形成に及ぼす諸因子」
    　　　第１１回表面科学講演大会、1991年12月（東京）
    　　　　芹沢千絵、山本一雄、中村淳、大坂敏明
  • 「化学結合の効果を考慮した原子散乱因子の計算」
    　　　第４回DV-Xα研究協会、1991年8月（豊橋）
    　　　　中村淳、山本一雄、芹沢千絵、大坂敏明、早藤貴範、木村仁史、武石玲子
    

  (6) Award
  
  		

  • 電気通信大学優秀教員賞（ベストティーチャー）２０１１年
  • Young Scientist Awards
    (37th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces, Jan. 2010)
  • Marquis Who's Who in the World,2010
    (Aug. 2009)
  • Young Scientist Awards
    (36th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces, Jan. 2009)
  • Marquis Who's Who in the World,2009
    (Aug. 2008)
  • Young Scientist Awards
    (35th Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces, Jan. 2008)
  • Marquis Who's Who in the World 25th silver anniversary edition
    (Aug. 2007)
  • Young Scientist Awards
    (33rd Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces, Jan. 2006)
  • Award for Encouragement of Research in Materials Science
    (The Materials Research Society of Japan, Dec. 2000)

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  Last modified: Sep. 14, 2009