ナノエレクトロニクス特論2018レポート課題集（全*題）* Reports (Projects)

　・提出期限は目安であり、それを過ぎたら受け取らない、というわけではない。（だけど期限は守って欲しい）

　・レポートの本当の最終締切を*月*日（*）１７時とします。

第一回レポート課題（７月３日出題：提出期限７月２４日）; 1st Report

MOSFETやHEMTなどのヘテロ界面において、閉じ込めポテンシャルが三角ポテンシャルで近似できるとする。
このとき解くべきシュレディンガー方程式はAiry（エアリ）方程式の形になる。
三角ポテンシャルで記述されるMOSFETやHEMTの界面における量子化の効果を論ぜよ。
The triangular well is useful because it is a simple description of the potential at the interface like HEMT or MOSFET.
In these cases, the wavefunctions are obtained as Airy functions.
Discuss the discretization of energy levels in the triangular potential (Calculate the discretized energy level in the triangular potential).

自分の研究テーマに関係する、量子力学の問題を自作し、それに解答せよ。
自分の研究テーマとどのように関係するかをはじめに記述すること。
Make (invent or devise) and solve a practice exercise based on the quantum mechanics yourself,
(even if only slightly) related to the subject of YOUR current research.
You have to describe HOW the self-made problem-solving exercise is related to your research subject.

第三回レポート課題および使用スライド(3rd Report & Lecture slides)（７月３１日出題予定：８月２０日提出期限）提出は任意（OPTIONAL）; 3rd Report (optional)

7月31日配布資料（documents distributed）はこちら(here)